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전계 방출 소자 및 전계 방출 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015096963
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계 방출 소자 및 전계 방출 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 탄소 나노튜브막 상부에 금속막을 형성하여 볼리스틱 전도 특성을 통해 동작 전압이 낮고, 전자의 방출 특성이 주변의 환경에 민감하지 않으며, 공정의 난이도를 크게 줄일 수 있고, 대면적화할 수 있는 전계 방출 소자 및 전계 방출 소자의 제조 방법을 제공한다. 전계 방출 소자, 탄소 나노튜브, 바인터, 금속틀, 금속막
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1020020072347 (2002.11.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0485128-0000 (2005.04.14)
공개번호/일자 10-2004-0043900 (2004.05.27) 문서열기
공고번호/일자 (20050425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.11.20)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황치선 대한민국 대전광역시대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2002-0382987-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.08.18 수리 (Accepted) 9-1-2004-0050002-92
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0394875-84
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2004.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2004-0541151-16
6 의견서
Written Opinion
2004.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2004-0604001-87
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0603999-37
8 등록결정서
Decision to grant
2005.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0168043-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 하부 기판 상에 전극을 형성하는 단계; (b) 상기 전극 상에 금속층을 형성한 후 음극 전기 산화 공정을 실시하여 상기 금속층의 모양을 벌집 모양의 금속틀 구조로 용해 및 산화하는 단계; (c) 상기 금속틀 내부에 탄소 나노튜브를 성장하여 상기 탄소 나노튜브막을 형성하는 단계; (d) 상기 탄소 나노튜브막 상에 금속막을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 탄소 나노튜브막이 형성된 기판과 형광물질이 형성된 상부 기판을 밀봉하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄층인 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 금속막은 스텝 커버리지가 좋은 원자 증착법, 화학 기상 증착법, 플라즈마 인헨스트 화학 기상 증착법, 저압 화학 기상 증착법 및 대기압 화학 기상 증착법을 이용하여 상기 탄소 나노튜브막의 단차를 따라 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 금속막은 금을 이용하여 200Å이내로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조 방법
7 7
하부기판; 하부기판 상부에 형성되어 전자를 생성하는 하부 전극; 상기 하부전극 상부에 벌집모양의 금속틀 내부에 탄소 나노튜브가 포함된 형태로 형성되며, 볼리스틱 전도 특성을 이용하여 상기 전자를 전달하는 탄소 나노튜브막; 상기 탄소 나노튜브막 상부에 형성되어 상기 전자를 방출하는 금속막; 및 상기 하부기판과 밀봉되고 형광물질이 도포되어 상기 전자에 의해 발광하는 상부 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자
8 8
삭제
9 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.