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습식식각법을 이용한 화합물반도체소자의 금속배선 형성방법

  • 기술번호 : KST2015097022
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리프트오프 방법을 이용함에 따른 재현성 저하를 개선시키는데 적합한 화합물반도체소자의 금속배선 형성 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 기판 상부에 접착력 강화를 위한 티타늄(Ti)과 전기도금을 위한 시드 역할을 하는 금(Au)을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 금(Au) 상에 금속배선예정영역을 오픈시키는 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 금속배선예정영역에 금속배선 역할을 하는 금(Au)을 전기도금법으로 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 제거하는 단계, 및 상기 티타늄, 금 및 금속배선용 금의 순서로 적층된 금속배선구조를 형성하기 위해 불산용액을 이용하여 습식식각하는 단계를 포함하여, 리프트오프방법이 아닌 습식식각법을 이용하므로써 재현성이 우수하면서 깨끗한 금속배선을 형성할 수 있는 효과가 있다. 화합물반도체소자, HBT, 금속배선, 시드금속, 전기도금, 리프트오프, 습식식각, 불산용액, Au
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/76838(2013.01) H01L 21/76838(2013.01) H01L 21/76838(2013.01)
출원번호/일자 1020030073166 (2003.10.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0568067-0000 (2006.03.30)
공개번호/일자 10-2005-0037886 (2005.04.25) 문서열기
공고번호/일자 (20060405) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.10.20)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주철원 대한민국 대전광역시유성구
2 민병규 대한민국 대전광역시유성구
3 이경호 대한민국 대전광역시유성구
4 김성일 대한민국 대전광역시서구
5 이종민 대한민국 대전광역시유성구
6 강영일 대한민국 대전광역시유성구
7 남은수 대한민국 대전광역시유성구
8 조경익 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2003-0390399-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0041039-04
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0451041-39
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.11.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0653275-41
6 의견서
Written Opinion		 2005.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2005-0653276-97
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0155983-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판 상부에 접착력 강화를 위한 제1금속막과 전기도금을 위한 시드 역할을 하는 제2금속막을 순차적으로 형성하는 단계;상기 제2금속막 상에 금속배선예정영역을 오픈시키는 감광막패턴을 형성하는 단계;상기 금속배선예정영역에 금속배선 역할을 하는 제3금속막을 전기도금법으로 형성하는 단계;상기 감광막패턴을 제거하는 단계; 및상기 감광막패턴 제거후에 노출된 상기 제2금속막과 제1금속막을 선택적으로 식각하여 상기 제1금속막, 제2금속막 및 상기 제3금속막의 순서로 적층된 금속배선구조를 형성하되, 상기 제1금속막을 식각하는 식각용액을 사용하여 상기 제2금속막은 상기 식각용액이 자신을 투과한 후 상기 제1금속막이 식각될 때 물리적으로 제거되도록 하는 습식식각으로 진행하는 단계를 포함하는 습식식각법을 이용한 화합물반도체소자의 금속배선 형성 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 제1금속막은 티타늄(Ti)이고, 상기 제2금속막은 금(Au)이며, 상기 식각용액은 상기 티타늄을 식각할 수 있는 불산 용액인 것을 특징으로 하는 습식식각법을 이용한 화합물반도체소자의 금속배선 형성 방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 제1금속막은 500Å∼2000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 습식식각법을 이용한 화합물반도체소자의 금속배선 형성 방법
5 5
제2항에 있어서, 상기 식각용액이 상기 제2금속막을 통과하여 상기 제1금속막에 도달할 수 있도록 상기 제2금속막을 50Å∼100Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 습식식각법을 이용한 화합물반도체소자의 금속배선 형성 방법
6 5
제2항에 있어서, 상기 식각용액이 상기 제2금속막을 통과하여 상기 제1금속막에 도달할 수 있도록 상기 제2금속막을 50Å∼100Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 습식식각법을 이용한 화합물반도체소자의 금속배선 형성 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.