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광대역 파장 가변 추출 격자 분포 궤환 레이저 다이오드

  • 기술번호 : KST2015097050
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 종래의 파장 가변 레이저 다이오드 구조에 비해 간단한 구조로 구성되어 제작 및 대량생산에 유리하고, 높은 광 효율과 광대역 파장 가변(30nm이상)이 가능한 구조의 파장 가변 레이저 다이오드를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 추출 격자 주기가 서로 다른 두개의 SG-DFB(Sampled Grating Distributed Feedback) 구조부로 구성되고 각 구조부의 추출 격자 사이에 위상 제어 영역이 삽입된 파장가변 SG-DFB 레이저 다이오드를 제공한다. 본 발명의 SG-DFG 레이저 다이오드는 각 SG-DFB 구조부에 구비되는 위상 제어영역의 굴절률 변화에 따라 연속적 혹은 불연속적으로 광대역 파장가변이 가능하며, 종래의 파장 가변 레이저 다이오드에 비해 간단한 구조를 가지면서 출력 광 효율이 우수한 이점을 지닌다.파장 가변 레이저 다이오드, 추출격자, 회절격자, SG-DFB, 활성층.
Int. CL H01S 3/0941 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020030030777 (2003.05.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2004-0098421 (2004.11.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.05.15)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오수환 대한민국 대전광역시유성구
2 박문호 대한민국 대전광역시유성구
3 이지면 대한민국 대전광역시유성구
4 이철욱 대한민국 대전광역시유성구
5 김기수 대한민국 전라북도전주시완산구
6 고현성 대한민국 대전광역시서구
7 박상기 대한민국 대전광역시서구
8 정영철 대한민국 서울특별시노원구
9 김수현 대한민국 서울특별시은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2003-0171812-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.03.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0015903-83
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0249046-28
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0419397-80
6 의견서
Written Opinion		 2005.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0419398-25
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0670931-85
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0157364-97
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

인접하는 제1 이득영역과 제2 이득영역을 구비하는 추출격자 분포궤환 파장가변 레이저 다이오드에 있어서,

상기 제1 이득영역에 제1 주기를 가지는 제1 추출격자가 형성되고, 상기 제1 추출격자 사이에 제1 위상제어 영역이 형성된 제1 SG-DFB 구조부; 및

상기 제2 이득영역에 제2 주기를 가지는 제2 추출격자가 형성되고 상기 제2 추출격자 사이에 제2 위상제어 영역이 형성된 제2 SG-DFB 구조부를 구비하며,

상기 제1 및 제2 위상제어 영역의 굴절률 변화에 따라 발진하는 레이저의 파장이 가변되는 추출격자 분포궤환 레이저 다이오드

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 제1 추출격자와 상기 제2 추출격자를 형성하는 각각의 회절격자의 주기는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 추출격자 분포궤환 레이저 다이오드
3 3

제 1 항에 있어서,

상기 제1 위상제어영역과 상기 제2 위상제어영역의 굴절률 변화는 상기 제1 위상제어영역과 상기 제2 위상제어영역에 각각 인가되는 전류량을 변화시킴으로서 이루어지는 것을 특징으로 하는 추출격자 분포궤환 레이저 다이오드

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 제1 위상제어영역 또는 상기 제2 위상제어영역의 굴절률을 변화시킴으로서, 상기 발진하는 레이저의 파장이 불연속적으로 가변되도록 하는 것을 특징으로 하는 추출격자 분포궤환 레이저 다이오드

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 제1 위상제어영역 및 상기 제2 위상제어영역의 굴절률을 동일한 크기로 변화시켜, 상기 발진하는 레이저의 파장이 연속적으로 가변되도록 하는 것을 특징으로 하는 추출격자 분포궤환 레이저 다이오드

6 6

제 1 항의 추출격자 분포궤환 레이저 다이오드에 광 변조기 또는 광 증폭기가 함께 집적되는 광통신소자

7 7

서로 인접한 제1 영역과 제2 영역을 가지는 기판;

상기 기판상의 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에 형성된 도파로층;

상기 도파로층 내부에 형성되며, 복수의 위상제어영역을 두기 위해 소정 간격마다 구비된 다중 양자 우물 활성층;

제1 주기를 가지며 상기 위상제어영역이 추출격자 사이에 형성된 제1 추출격자 영역;

제2 주기를 가지며 상기 위상제어영역이 추출격자 사이에 형성된 제2 추출격자 영역;

상기 도파로층상에 구비된 클래드층;

상기 제1 영역의 상기 클래드층 상에 형성되며, 상기 제1 영역의 위상제어영역에 전류를 제공하기 위한 제1 위상제어용 전극;

상기 제2 영역의 상기 클래드층 상에 형성되며, 상기 제2 영역의 위상제어영역에 전류를 제공하기 위한 제2 위상제어용 전극;

상기 제1 영역의 상기 클래드층 상에 형성되며, 상기 제1 영역의 위상제어영역 이외의 도파로층에 전류를 제공하기 위한 제1 이득영역용 전극; 및

상기 제2 영역의 상기 클래드층 상에 형성되며, 상기 제2 영역의 위상제어영역 이외의 도파로층에 전류를 제공하기 위한 제2 이득영역용 전극을 구비하여,

발진하는 레이저의 파장을 가변할 수 있는 추출격자 분포궤환 레이저 다이오드

8 8

제 7 항에 있어서,

상기 제1 추출격자의 주기와 상기 제2 추출격자의 주기는 서로 다르게 구성되고, 상기 제1 및 제2 추출격자에 의한 회절격자 주기는 동일하게 구성된 것을 특징으로 하는 추출격자 분포궤환 반도체 레이저

9 9

제 7 항에 있어서,

상기 기판은 n형 InP 기판이고, 상기 도파로층 등은 InGaAsP계열로 이루어지며, 상기 클래드층은 p형 InP인 것을 특징으로 하는 추출격자 분포궤환 레이저 다이오드

10 10

제 7 항에 있어서,

상기 제1 영역의 위상제어영역 또는 상기 제2 영역의 위상제어영역의 굴절률을 변화시킴으로서, 상기 발진하는 레이저의 파장이 불연속적으로 가변되도록 하는 것을 특징으로 하는 추출격자 분포궤환 레이저 다이오드

11 11

제 7 항에 있어서,

상기 제1 영역의 위상제어영역 및 상기 제2 영역의 위상제어영역의 굴절률을 동일한 크기로 동시에 변화시킴으로서, 상기 발진하는 레이저의 파장이 연속적으로 가변되도록 하는 것을 특징으로 하는 추출격자 분포궤환 레이저 다이오드

12 12

제 7 항의 추출격자 분포궤환 레이저 다이오드에 광 변조기 또는 광 증폭기가 함께 집적되는 광통신소자

지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01478064 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP16343043 JP 일본 FAMILY
3 US20040228384 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP1478064 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 JP2004343043 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2004228384 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.