| 1 |
1
실리콘 기판, 매몰 산화층 및 실리콘층이 적층된 구조로 이루어지며, 채널영역의 상기 실리콘층에 소정 깊이의 도랑이 형성된 기판과,상기 도랑 양측의 상기 실리콘층에 형성된 소스 및 드레인 영역과,상기 도랑의 양측벽에 형성된 산화막 측벽과,상기 산화막 측벽 하부의 상기 실리콘층에 형성된 소스 및 드레인 확장영역과,상기 채널영역의 상기 실리콘층 상부에 형성되며, 게이트 절연막에 의해 전기적으로 분리되는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘층은 (110) 면방향을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 3 |
3
a) 실리콘 기판, 매몰 산화층 및 실리콘층이 적층된 구조의 기판을 준비하는 단계와,b) 소스 및 드레인이 형성될 영역의 상기 실리콘층에 불순물 이온을 주입하는 단계와,c) 채널이 형성될 영역의 상기 실리콘층을 소정 깊이 식각하여 도랑을 형성하는 단계와,d) 상기 도랑의 양측벽에 불순물 이온이 도핑된 산화막 측벽을 형성하는 단계와,e) 상기 실리콘층에 주입된 이온과 상기 산화막 측벽에 도핑된 이온의 내부 확산에 의해 상기 도랑 양측부의 상기 실리콘층에 소스 및 드레인 영역이 형성되는 동시에 상기 산화막 측벽 하부의 상기 실리콘층에 소스 및 드레인 확장영역이 형성되도록 열처리하는 단계와,f) 전체 상부면에 게이트 절연막을 형성한 후 채널영역의 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서, 상기 실리콘층은 (110) 면방향을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 5 |
5
제 3 항에 있어서, 상기 단계 b)는 이온주입 또는 플라즈마 도핑 방법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 6 |
6
제 3 항에 있어서, 상기 단계 c)의 식각은 TMAH 용액을 이용한 습식방법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 7 |
7
제 3 항에 있어서, 상기 단계 e)의 열처리는 급속 열처리 방법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 8 |
8
제 3 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 저온에서 열산화된 실리콘 산화막, 오존 산화막, CVD 방법으로 증착된 실리콘 질화막 또는 산화막, 및 고유전막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 9 |
8
제 3 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 저온에서 열산화된 실리콘 산화막, 오존 산화막, CVD 방법으로 증착된 실리콘 질화막 또는 산화막, 및 고유전막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
|
