요약 | 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 본 발명은 공진형 마이크로 자이로스코프에 관한 것으로, 특히 미세 가공 기술로 제작 가능한 마이크로 브리지의 정상파를 이용하는 자이로스코프 및 그 제조 방법과 이를 이용한 각속도 측정 방법에 관한 것이다.2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 본 발명에 의한 공진형 마이크로 자이로스코프는 미세 가공 기술로 제작된 브리지 형태의 구조체를 압전소자를 이용해 공진시켜 휨 변형을 일으키고, 외부의 회전 속도에 의한 코리올리 힘이 발생할 때 이로 인한 공진 모드의 변화를 압전 소자를 이용해서 검출하는 방법을 이용한다. 그러므로 기존의 진동형 자이로스코프에 비해 고진공 내에서의 작동과 공진 모드 주파수의 조율 등의 문제가 심각히 요구되지 않는다.3. 발명의 해결 방법의 요지 본 발명에 의한 자이로스코프는 브리지형 양단의 구속 보가 낮은 공진 모드로 휨에 의한 진동을 하도록 가진 전극을 보 위의 세 지점에 위치 시키고, 보의 공진 모드의 곡선 중 변곡점으로 작용하는 부분, 즉 휨 모멘트가 작용하지 않아 휨에 의한 응력이 공진중 항상 0이 되는 지점에 검출 전극을 위치시킨다. 보의 길이 방향에 수직하고 동시에 진동 변위에 수직한 방향으로 외부 각속도가 가해지면 코리올리의 힘이 보의 길이 방향으로 가해지게 되므로 공진의 모드를 변형시켜 검출 전극이 위치한 지점에서 0이 아닌 휨 응력이 발생하게 된다. 이 응력에 의한 변형의 크기는 외부의 회전 각속도에 비례하므로 이 변형의 크기를 압전 소자를 이용하여 측정하므로 각속도 검출의 기능을 수행하게 된다.자이로스코프, 실리콘 보, 가진 전극 |
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Int. CL | G01C 19/56 (2013.01) |
CPC | H01L 41/08(2013.01) H01L 41/08(2013.01) H01L 41/08(2013.01) H01L 41/08(2013.01) H01L 41/08(2013.01) |
출원번호/일자 | 1019970034952 (1997.07.25) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | 10-0258173-0000 (2000.03.08) |
공개번호/일자 | 10-1999-0011743 (1999.02.18) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20000601) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (1997.07.25) |
심사청구항수 | 6 |