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석영유리광도파로와그의제조방법

  • 기술번호 : KST2015097358
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광의 손실이 적은 석영유리 도파로에 높은 전기광학 특성을 부여하고 고속 및 저손실의 석영유리 도파로의 제조를 가능하게 하여 종래 석영유리 도파로가 각종 고속의 광소자들에 응용될 수 없었던 한계를 극복한 것이다. 따라서, 본 발명은 위상변조기를 비롯하여 광스위치, 광간섭기, 편광조절기 등의 각종 광부품들에 매우 유용하게 적용될 수 있다. 또한, 종래 석영유리 도포로가 갖는 응력유기 복굴절율에 의한 편광이방성 문제를 제거할 수 있다.
Int. CL G02B 6/10 (2006.01)
CPC G02B 6/10(2013.01) G02B 6/10(2013.01)
출원번호/일자 1019940014061 (1994.06.21)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1996-0001789 (1996.01.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.06.21)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신장욱 대한민국 경기도수원시권선구
2 심재기 대한민국 대전직할시유성구
3 정명영 대한민국 대전직할시유성구
4 안승호 대한민국 대전직할시유성구
5 전오곤 대한민국 대전직할시유성구
6 최태구 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.06.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0064480-41
2 특허출원서
Patent Application		 1994.06.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0064479-05
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.06.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0064481-97
4 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1994-0064482-32
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0064483-88
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0064484-23
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0036176-68
8 의견서
Written Opinion		 1998.02.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0064485-79
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.02.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0064486-14
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0036177-14
11 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0036178-59
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

하부전극이 형성된 기판과, 상기 기판상에 차례로 형성된 버퍼층 및 클래드층과, 상기 버퍼층 및 클래드층 사이에 코아형상의 석영유리로 매입된 전파경로와, 상기 전파경로의 편광을 조절하고 전기광학 특성을 부여하기 위하여 상기 전파경로 주위의 클래드층 일부에 형성된 전기광학부재와, 상기 전기광학부재 상부 혹은 하부에 형성된 전극으로 구성된 석영유리 광도파로

2 2

제1항에 있어서, 상기 전기광학부재가 높은 전기광학효과를 갖는 유기물 고분자 중합체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, 및 LiNbO3중의 하나로 이루어진 석영유리 광도파로

3 3

제1항에 있어서, 상기 전기광학부재가 전파경로의 x방향의 편광을 조절하기 위하여 전파경로의 일측 및 양측면 중의 어느 한 부위에 형성된 석영유리 광도파로

4 4

제1항에 있어서, 상기 전기광학부재가 전파경로의 y방향의 편광을 조절하기 위하여 전파경로의 상단 및 하단부위 중의 어느 한 곳에 형성된 석영유리 광도파로

5 5

하부전극을 갖는 실리콘기판상에 버퍼층과 클래드층, 그리고 상기 버퍼층과 클래드층 사이에 버퍼 및 클래드층 보다 높은 굴절율을 갖고 광학적으로 투명한 석영유리로 이루어진 코아형상의 전파경로를 형성하는 공정, 상기 전파경로 주위의 클래드층의 일부를 활성화 이온식각 등의 방법으로 식각하고, 식각된 부위에 높은 전기광학 특성을 갖는 전기광학부재를 형성하는 공정, 및 상기 전기광학부재 상부에 상부전극을 형성하는 공정으로 이루어지는 석영유리 광도파로의 제조방법

6 6

제5항에 있어서, 상기 전기광학부재가 높은 전기광학효과를 갖는 유기물 고분자 중합체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, 및 LiNbO3중의 어느 하나로 이루어진 석영유리 광도파로의 제조방법

7 7

제5항에 있어서, 상기 전기광학부재를 전파경로의 x방향의 편광을 조절하기 위하여 전파경로의 일측 및 양측면중의 어느 한 부위에 형성하는 석영유리 광도파로의 제조방법

8 8

제5항에 있어서, 상기 전기광학부재를 전파경로의 y방향의 편광을 조절하기 위하여 전파경로의 상측 및 하측부위 중의 어느 한 부위에 형성하는 석영유리 광도파로의 제조방법

9 9

자체의 전파경로의 일부에 설치되어 있되, 하부전극이 형성된 기판과, 상기 기판상에 차례로 형성된 버퍼층 및 클래드층과, 상기 버퍼층 및 클래드층 사이에 코아형상의 석영유리로 매입된 전파경로와, 상기 전파경로의 편광을 조절하고 전기광학 특성을 부여하기 위하여 상기 전파경로 주위의 클래드층 일부에 형성된 전기광학부재와, 상기 전기광학부재 상부에 형성된 상부전극으로 구성된 석영유리 광도파로를 사용한 광학소자

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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.