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리튬 2차 전지용 고분자 전해질

  • 기술번호 : KST2015097502
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자뿐만 아니라 무기충진제로서 실리카를 포함하여 고분자 전해질의 매트릭스인 고분자 막을 형성하고, 이 고분자 매트릭스에 리튬염의 유기용매 전해액을 함침시킴으로써 리튬 2차전지용 고분자 전해질을 제조하는 것이다. 본 발명의 고분자 전해질은 간단한 방법으로 제조될 수 있으며, 기계적 강도는 물론, 이온전도도가 우수하며, 리튬 2차전지에 사용될 때 계면 저항이 조속히 안정된다.고분자 전해질, 리튬염, 리튬 2차전지, 비닐리덴 플루오라이드, 헥사플루오로프로필렌, 무기 충진제, 실리카, 전해액
Int. CL H01M 10/0525 (2011.01) H01M 10/0565 (2011.01) H01M 10/058 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1019990053774 (1999.11.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0353867-0000 (2002.09.10)
공개번호/일자 10-2001-0048897 (2001.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020926) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.11.30)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광만 대한민국 대전광역시유성구
2 류광선 대한민국 대전광역시유성구
3 강성구 대한민국 대전광역시유성구
4 장순호 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 최종식 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))
3 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1999.11.30 수리 (Accepted) 1-1-1999-0159577-59
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2001.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0356400-27
4 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2002.01.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0032509-83
5 의견서
Written Opinion
2002.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2002-0032510-29
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 등록결정서
Decision to grant
2002.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0296105-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

고분자 및 실리카에 의하여 형성되는 매트릭스,

상기 매트릭스에 함침된 리튬염의 유기용매 전해액을 포함하며,

상기 고분자는 비닐리덴 플루오라이드와 헥사플루오로프로필렌의 공중합체, 또는 비닐리덴 플루오라이드 중합체인

리튬 2차전지용 고분자 전해질

2 2

삭제

3 3

제1항에 있어서,

상기 비닐리덴 플루오라이드와 헥사플루오로프로필렌의 공중합체에서 헥사플루오로프로필렌의 함량은 5~20몰%인

리튬 2차전지용 고분자 전해질

4 4

제1항에 있어서,

상기 실리카는 평균 입경이 수 내지 수백 나노미터의 발연성 실리카 (fumed silica) 분말인

리튬 2차전지용 고분자 전해질

5 5

제4항에 있어서,

상기 실리카의 양은 상기 고분자와 상기 실리카의 혼합물에 대하여 4 내지 38 중량%인

리튬 2차전지용 고분자 전해질

6 6

제4항에 있어서,

상기 실리카의 양은 상기 고분자와 상기 실리카의 혼합물에 대하여 10 내지 35 중량%인

리튬 2차전지용 고분자 전해질

7 7

제5항에 있어서,

상기 리튬염은 LiClO4, LiBF4, LiPF6, LiAsF6, LiCF3SO3 및 LiN(CF3SO2)2로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소한 하나인 리튬 2차전지용 고분자 전해질

8 8

제5항에 있어서,

상기 유기용매는 에틸렌 카보네이트, 프로필렌 카보네이트, 디메틸 카보네이트, 디에틸 카보네이트, 디에틸 카보네이트 및 이들의 혼합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것인

리튬 2차전지용 고분자 전해질

9 9

고분자를 용매에 용해시키고, 여기에 실리카를 분산시켜서 슬러리를 만들고, 이것을 용액주조하여 매트릭스 역할을 하는 고분자 막을 형성하는 단계,

상기 고분자 막을 리튬염이 용해되어 있는 유기용매 전해액에 함침시켜서 고분자 전해질을 형성하는 단계를 포함하며

상기 고분자는 비닐리덴 플루오라이드와 헥사플루오로프로필렌의 공중합체 또는 비닐리덴 플루오라이드 중합체이고, 상기 실리카는 평균 입경이 수 내지 수백 나노미터의 발연성 실리카이며, 상기 실리카의 양은 상기 고분자 및 상기 실리카의 혼합물에 대하여 4 내지 38 중량%인

리튬 2차전지용 고분자 전해질의 제조방법

10 10

제9항에 있어서,

상기 비닐리덴 플루오라이드와 헥사플루오로프로필렌의 공중합체에서

헥사플루오로프로필렌의 함량은 5~20몰%인

리튬 2차전지용 고분자 전해질의 제조방법

11 11

제9항에 있어서,

상기 리튬염은 LiClO4, LiBF4, LiPF6, LiAsF6, LiCF3SO3 및 LiN(CF3SO2)2로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소한 하나인

리튬 2차전지용 고분자 전해질의 제조방법

12 12

삭제

13 13

삭제

14 14

삭제

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP13167796 JP 일본 FAMILY

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1 JP2001167796 JP 일본 DOCDBFAMILY
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