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흡수 파장 대역이 다른 다수개의 모니터 광검출기가집적된 단일파장 반도체 레이저

  • 기술번호 : KST2015097505
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 파장 분할 다중화 방식의 광통신 시스템에서 사용되는 광원에 파장 흡수 영역이 다른 2개의 모니터 광검출기를 단일 칩 집적화하여 각각의 파장에서 나오는 광의 출력을 집적된 2개의 광검출기로써 상대적인 각각의 광전류를 모니터 함으로써 파장의 흔들림을 검지하고 그 결과를 반도체 레이저의 구동부 및 온도 제어부로 궤환시켜 파장 안정화의 기능을 갖는, 파장 별 광 세기를 측정할 수 있는 모니터 검출기가 집적된 반도체 레이저에 관한 것이다.레이저, 광검출기, 집적화, 파장, 안정화
Int. CL H01S 5/20 (2006.01)
CPC H01S 5/06258(2013.01) H01S 5/06258(2013.01) H01S 5/06258(2013.01)
출원번호/일자 1019990055705 (1999.12.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0319775-0000 (2001.12.21)
공개번호/일자 10-2001-0054750 (2001.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20020105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남은수 대한민국 대전광역시서구
2 이중기 대한민국 대전광역시서구
3 장동훈 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 최종식 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))
3 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1999-0165755-76
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 등록결정서
Decision to grant		 2001.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0329029-68
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

제1파장의 광을 방출하는 레이저;

상기 제1파장에 비해 단파장인 제2파장의 흡수층을 갖는 제1광검출기; 및

상기 제1파장에 비해 장파장인 제3파장의 흡수층을 갖는 제2광검출기가 함께 집적화된 반도체 레이저

2 2

제1항에 있어서,

상기 제1광검출기는,

상기 제2파장의 밴드갭을 갖는 다중양자우물 구조의 제1 InGaAsP/InGaAs층;

상기 제1 InGaAsP/InGaAs층 상에 형성된 p-InGaAsP층; 및

상기 제2파장에 의해 생성된 광전류 측정을 위하여 상기 p-InGaAsP층 상에 형성된 p-전극으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 레이저

3 3

제2항에 있어서,

상기 제2광검출기는,

상기 제3파장의 밴드갭을 갖는 다중양자우물 구조의 제2 InGaAsP/InGaAs층;

상기 제2 InGaAsP/InGaAs층 하부에 형성된 n-InGaAsP층; 및

상기 제3파장에 의해 생성된 광전류 측정을 위하여 상기 n-InGaAsP층 상에 형성된 n-전극으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 레이저

4 4

제3항에 있어서,

상기 p-InGaAsP층과 상기 n-InGaAsP층은 반절연성 InP층을 사이에 두고 접하여 상기 제1광검출기와 상기 제2광검출기는 서로 전기적으로 격리된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저

5 5

파장분할 다중화 광통신 시스템에서 레이저 구동시 레이저의 열화에 의한 출력 파장의 왜곡을 사전에 감지할 수 있도록, 흡수 파장 대역이 다른 다수의 모니터 광검출기를 단일파장 반도체 레이저에 단일 칩 집적한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.