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레이저 분자선 에피택시 장치 및 이를 이용한 산화물 박막 제조방법

  • 기술번호 : KST2015097523
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 레이저 MBE 장치(10)내에 이온 빔 발생기(4)를 부착함으로써 금속산화물 제조시 활성산소의 공급 제어를 용이하게 하고, 또한 압력 게이지(12)로부터의 전기적인 신호를 받아 개스 유량 조절 제어기(6)의 제어에 따라 개스 유량 조절기(7)에서 공급된 다양한 개스로부터 발생된 이온 빔을 제조된 금속산화물 표면에 조사함으로써 표면 조성과 구조를 변화시킬 수 있는 기능을 갖는 레이저 MBE 장치 및 이를 이용한 산화물 박막 제조방법에 관한 것이다. 이온 빔의 경우 그 속도를 이온 빔 발생 제어기(5)에서 제어하는 것이 가능하고 진공 분위기에서 직진성이 뛰어나다. 따라서 산소공급량을 적게하면서도 이온 빔의 속도를 높힘으로써 기판 근처에서만 산소 이온의 농도를 높게 유지하는 것이 가능하다. 그리고 산소 뿐만아니라 질소, 아르곤 등 다양한 개스들의 이온화가 가능하기 때문에 타깃(1)과 공급 개스의 교환만으로도 같은 장치를 사용하여 질소화합물 박막을 제조하는 것이 가능하다. 또한 박막 제조 후 레이저 MBE 내부에서 이온 빔을 제조된 박막의 표면에 조사시켜 외부 공기에 노출시키지 않으면서 박막 표면의 화학적 조성과 구조를 개질하는 것이 가능하다.
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01L 21/02631(2013.01) H01L 21/02631(2013.01) H01L 21/02631(2013.01) H01L 21/02631(2013.01)
출원번호/일자 1019990024699 (1999.06.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0377476-0000 (2003.03.12)
공개번호/일자 10-2001-0004093 (2001.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20030326) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.08.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정상돈 대한민국 대전광역시유성구
2 강광용 대한민국 대전광역시유성구
3 한석길 대한민국 대전광역시유성구
4 이수재 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.06.28 수리 (Accepted) 1-1-1999-0068796-39
2 출원심사청구서
Request for Examination		 2000.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2000-0181814-85
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0152130-11
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.06.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0190444-75
6 의견서
Written Opinion		 2002.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2002-0190445-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 등록결정서
Decision to grant		 2002.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0454528-73
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

압력 게이지와 외부에 진공 펌프를 구비하고, 낮은 압력에서 고출력의 펄스 레이저 빔으로 금속산화물 타깃을 용발시켜 가열용 히터에 의해 가열된 원하는 기판에 금속산화물을 증착시키는 레이저 MBE 장치에 있어서,

상기 압력 게이지로부터의 전기적인 신호를 받아 개스 공급량을 제어하는 개스 유량조절 제어기;

상기 개스 공급량 제어에 의해 금속산화물 증착시 레이저 MBE 장치 내부가 원하는 진공도를 유지하도록 개스를 공급하는 개스 유량 조절기;

상기 MBE 장치 외부에 부착되어 이온 빔의 속도를 제어하는 이온 빔 발생 제어기; 및

상기 MBE 장치 내부에 부착되어 상기 이온 빔 속도 제어에 따라 상기 개스 유량 조절기로 부터 주입되는 개스를 이온화시켜 이온 빔을 발생하여 MBE 장치내에 용발된 플라즈마에 이온을 공급하여 결핍된 원소를 공급하는 이온 빔 발생기로 구성된 것을 특징으로 하는 레이저 MBE 장치

2 2

레이저 MBE 장치로 일정 진공도에서 고출력의 펄스 레이저 빔으로 금속산화물 타깃을 용발시켜 소정 온도의 기판에 금속산화물을 증착시키는 산화물 박막 제조방법에 있어서,

상기 레이저 MBE 장치내의 진공도를 측정하여 개스유량 제어기 및 개스유량 조절기의 되먹임 제어를 이용하여 공급되는 개스의 양을 조절하는 단계;

상기 공급되는 개스의 양을 조절하여 진공도를 10-4∼10-6 Torr로 유지시키는 단계;

상기 진공도의 조건을 유지하면서 기판의 온도를 350∼800 ℃로 유지시키는 단계;

상기 단계 후에 활성산소의 공급원으로 이온 빔 발생기를 사용하여 금속산화물 박막의 표면에 온도를 가하거나 상온에서 이온 빔을 조사하여 표면구성과 구조를 변형하여 금속산화물 박막을 제조하는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 분자선 에피택시 장치를 이용한 산화물 박막 제조방법

3 3

삭제
4 4

삭제
5 5

삭제
6 6

삭제
7 7

제 2 항에 있어서,

상기 박막의 온도를 상기 진공도, 상기 공급 개스, 상기 기판 온도의 조건으로 유지하는 것을 특징으로 하는 레이저 분자선 에피택시 장치를 이용한 산화물 박막 제조방법
8 8

제 2 항에 있어서,

상기 공급 개스를 아르곤으로 사용하는 것을 특징으로 하는 레이저 분자선 에피택시 장치를 이용한 산화물 박막 제조방법

9 9

제 2항에 있어서,

상기 이온 빔 처리된 박막에 상기 진공도, 공급 개스, 상기 기판 온도의 조건에서 금속산화물 박막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.