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반도체 기판상기 반도체 기판 상에 배치된 절연체상기 절연체 상에 배치된 제1의 도전형의 불순물로 도핑되고, 균일한 두께를 가진 제1 반도체층상기 제1 반도체층 상의 일부에 배치되고, 중심부위가 얇은 부분을 갖는 凹 형태의 게이트 절연막 및상기 게이트 절연막의 상부면을 덮고, 상기 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형으로 도핑된 제2 반도체층을 구비한 변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제1항에 있어서, 상기 광소자는 상기 게이트 절연막의 중심부위의 광모둠계수의 증가에 따른 굴절율(△n)의 변화에 의한 위상변화를 이용하는 것을 특징으로 변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제1항에 있어서, 상기 광소자는 상기 게이트 절연막의 중심부위의 광모둠계수의 증가에 따른 흡수율(△α)의 변화에 의한 광감쇄 효과를 이용하는 것을 특징으로 하는 변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막의 양측에 접하면서, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 사이에 게재되어 전류를 차단하는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제1항에 있어서, 상기 제2 반도체층의 상부에는 오믹접촉을 위하여 고농도로 도핑된 적어도 하나의 오믹층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 반도체층은 도핑농도가 전체적으로 균일하거나 부분적으로 다른 것을 특징으로 하는 변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막의 굴절율은 인접하는 상기 제1 및 제2 반도체층의 굴절율보다 낮은 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막의 전체 폭과 상기 중심부위의 폭의 비가 0
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제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 상기 중심부위만큼 이격되어 배치된 제1 절연막과 상기 중심부위의 상기 제1 반도체층과 상기 제1 절연막 상에 형성된 제2 절연막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제9항에 있어서, 상기 제1 및 제2 절연막은 동일한 물질 또는 서로 다른 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제1항 또는 제10항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 SiO2, Hf2O, SiNx, SiNxOy, 강유전체 물질 중에서 선택된 적어도 하나 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제2항에 있어서, 상기 위상변화를 일으키는 광소자는 마흐-젠더 간섭계 형 광변조기인 것을 특징으로 하는 변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제2항에 있어서, 상기 위상변화를 일으키는 광소자는 마이켈슨 형 광변조기인 것을 특징으로 하는 변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제2항에 있어서, 상기 위상변화를 일으키는 광소자는 링 공진기형 광변조기인 것을 특징으로 하는 변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제2항에 있어서, 상기 위상변화를 일으키는 광소자는 광 스위치인 것을 특징으로 하는 변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제2항에 있어서, 상기 위상변화를 일으키는 광소자는 가변 광 필터인 것을 특징으로 하는 변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제3항에 있어서, 상기 광 감쇄효과를 일으키는 광소자는 다채널 광세기 등화기인 것을 특징으로 하는 변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자
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