기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

양성자 발생용 타겟 물질 및 이를 포함하는 치료 장치

기술번호 : KST2015097683
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	양성자 발생용 타겟 물질을 포함하는 양성자를 이용한 치료 장치가 제공된다. 이 치료 장치는 환자가 위치할 수 있는 내부 공간을 갖는 원통형의 보어 부재, 보어 부재의 내측면에 제공된 양성자 발생용 타겟 물질 및 양성자 발생용 타겟 물질로부터 양성자를 발생시켜 환자의 종양 부위로 투사하기 위해, 양성자 발생용 타겟 물질로 레이저 빔을 제공하는 레이저를 포함한다. 양성자 발생용 타겟 물질은 지지 박막 및 지지 박막 상에 제공된 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL	A61N 5/10 (2006.01) G21K 5/10 (2006.01) H01J 37/08 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020100026418 (2010.03.24)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-1295893-0000 (2013.08.06)
공개번호/일자	10-2011-0048441 (2011.05.11) 문서열기
공고번호/일자	(20130812) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020090105086 \| 2009.11.02
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2010.03.24)
심사청구항수	19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	정문연	대한민국	대전광역시 유성구
2	명남수	미국	경기도 성남시 분당구
3	송현우	대한민국	대전광역시 서구
4	표현봉	대한민국	대전광역시 유성구
5	박선희	대한민국	대전광역시 서구
6	성건용	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	오세준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)(특허법인 고려)
2	권혁수	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 **, 층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3	송윤호	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.03.24	수리 (Accepted)	1-1-2010-0187168-73
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.04.01	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.04.16	수리 (Accepted)	9-1-2013-0029579-20
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.04.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0266233-80
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.05.20	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0441318-21
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.05.20	수리 (Accepted)	1-1-2013-0441322-15
7	등록결정서 Decision to grant	2013.07.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0526389-14
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 지지 박막; 및상기 지지 박막 상에 제공된 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막을 포함하는 양성자 발생용 타겟 물질
2	2 제 1항에 있어서,상기 수소화된 비정질 실리콘 박막은 2~40% 범위의 수소 원자 함량을 갖는 것을 특징으로 하는 양성자 발생용 타겟 물질
3	3 제 1항에 있어서,상기 수소화된 비정질 실리콘 박막은 화학적 기상 증착 방식에 의해 상기 지지 박막 상에 제공되는 것을 특징으로 하는 양성자 발생용 타겟 물질
4	4 제 1항에 있어서,상기 지지 박막은 전도성을 갖는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 양성자 발생용 타겟 물질
5	5 제 4항에 있어서,상기 전도성을 갖는 물질은 금 또는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 양성자 발생용 타겟 물질
6	6 지지 박막을 준비하는 단계; 및상기 지지 박막 상에 수소화된 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계를 포함하는 양성자 발생용 타겟 물질의 제조 방법
7	7 제 6항에 있어서,상기 수소화된 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계는 화학적 기상 증착 방식을 이용하는 것을 특징으로 하는 양성자 발생용 타겟 물질의 제조 방법
8	8 제 7항에 있어서,상기 수소화된 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계는 플라즈마 강화 화학적 기상 증착 방식을 이용하는 것을 특징으로 하는 양성자 발생용 타겟 물질의 제조 방법
9	9 제 7항에 있어서,상기 화학적 기상 증착 방식의 증착 조건에 의해 상기 수소화된 비정질 실리콘 박막의 수소 원자 함량이 조절되는 것을 특징으로 하는 양성자 발생용 타겟 물질의 제조 방법
10	10 제 9항에 있어서,상기 증착 조건은 가스의 조성, 압력, 증착 온도 및 공정 시간을 포함하는 것을 특징으로 하는 양성자 발생용 타겟 물질의 제조 방법
11	11 제 6항에 있어서,상기 지지 박막은 전도성을 갖는 물질을 포함하도록 준비되는 것을 특징으로 하는 양성자 발생용 타겟 물질의 제조 방법
12	12 제 11항에 있어서,상기 전도성 갖는 물질은 금 또는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 양성자 발생용 타겟 물질의 제조 방법
13	13 환자가 위치할 수 있는 내부 공간을 갖는 원통형의 보어 부재;상기 보어 부재의 내측면에 제공된 양성자 발생용 타겟 물질; 및상기 양성자 발생용 타겟 물질로부터 양성자를 발생시켜 상기 환자의 종양 부위로 투사하기 위해, 상기 양성자 발생용 타겟 물질로 레이저 빔을 제공하는 레이저를 포함하되,상기 양성자 발생용 타겟 물질은 지지 박막 및 상기 지지 박막 상에 제공된 수소화된 비정질 실리콘 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 양성자를 이용한 치료 장치
14	14 제 13항에 있어서,상기 수소화된 비정질 실리콘 박막은 상기 환자의 상기 종양 부위의 치료에 필요한 특정 %의 수소 원자 함량을 갖는 것을 특징으로 하는 양성자를 이용한 치료 장치
15	15 제 13항에 있어서,상기 수소화된 비정질 실리콘 박막은 화학적 기상 증착 방식에 의해 상기 지지 박막 상에 제공되는 것을 특징으로 하는 양성자를 이용한 치료 장치
16	16 제 13항에 있어서,상기 지지 박막은 전도성을 갖는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 양성자를 이용한 치료 장치
17	17 제 16항에 있어서,상기 전도성을 갖는 물질은 금 또는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 양성자를 이용한 치료 장치
18	18 제 13항에 있어서,상기 보어 부재의 상기 내부 공간은 진공 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 양성자를 이용한 치료 장치
19	19 제 13항에 있어서,상기 레이저는 극초단파 레이저인 것을 특징으로 하는 양성자를 이용한 치료 장치

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP23092701	JP	일본	FAMILY
2	US20110101244	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP2011092701	JP	일본	DOCDBFAMILY
2	US2011101244	US	미국	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1295893-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20100324 출원 번호 : 1020100026418 공고 연월일 : 20130812 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130730 청구범위의 항수 : 19 유별 : A61N 5/10 발명의 명칭 : 양성자 발생용 타겟 물질 및 이를 포함하는 치료 장치 존속기간(예정)만료일 : 20190807

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	393,000 원	2013년 08월 07일	납입
제 4 년분	금 액	320,600 원	2016년 07월 26일	납입
제 5 년분	금 액	320,600 원	2017년 07월 27일	납입
제 6 년분	금 액	229,000 원	2018년 07월 27일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.03.24	수리 (Accepted)	1-1-2010-0187168-73
2	선행기술조사의뢰서	2013.04.01	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2013.04.16	수리 (Accepted)	9-1-2013-0029579-20
4	의견제출통지서	2013.04.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0266233-80
5	[명세서등 보정]보정서	2013.05.20	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0441318-21
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.05.20	수리 (Accepted)	1-1-2013-0441322-15
7	등록결정서	2013.07.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0526389-14
8	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1415107126
세부과제번호	10035602
연구과제명	극한기술 기반 IT 융합 양성자 치료기 핵심원천기술 개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2010
연구기간	201003~201502
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	BT(생명공학기술)

특허성과

[1020130091190]	그래핀-금 나노 플레이트 구조체와, 그 제조방법 및 탄소 이온 증강방법	새창보기
[1020110023278]	향상된 축방향 콘트라스트를 가지는 광학 간섭 단층 영상 장치 및 이를 위한 다중면을 구비한 기준 반사경	새창보기
[1020100026419]	탄소 이온 발생 장치 및 이를 이용한 종양 치료 장치	새창보기
[1020100026418]	양성자 발생용 타겟 물질 및 이를 포함하는 치료 장치	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015087833][한국전자통신연구원]	양성자를 이용한 치료 장치 및 이를 이용한 치료 방법	새창보기
[KST2015099237][한국전자통신연구원]	탄소 이온 발생용 타깃 및 이를 이용한 치료 장치	새창보기
[KST2015101252][한국전자통신연구원]	하전 입자 발생용 타깃, 그 제조 방법 및 이를 이용한 치료 장치	새창보기
[KST2015225747][한국전자통신연구원]	방사선 발생 장치(APPARATUS FOR GENERATING RADIATION)	새창보기
[KST2015092717][한국전자통신연구원]	레이저 기반 이온 빔 치료 장치	새창보기
[KST2016015652][한국전자통신연구원]	이온 발생 장치, 이를 이용한 치료 장치 및 치료 방법(Apparatus for Generating Ion, Treating Apparatus and Method using the same)	새창보기
[KST2016019474][한국전자통신연구원]	하전입자 발생용 타깃 및 하전입자 발생 장치(Target for Generating Charged Particle and Apparatus for Generating Charged Particle)	새창보기
[KST2015088884][한국전자통신연구원]	하전입자빔 생성에 사용되는 타겟 구조체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 의료 기구	새창보기
[KST2015091278][한국전자통신연구원]	이온 또는 양성자 가속용 타겟 부재 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015096849][한국전자통신연구원]	광 전달 케이블 및 이를 포함하는 레이저 시스템	새창보기
[KST2015097740][한국전자통신연구원]	하전입자 생성용 의료장치	새창보기
[KST2016017558][한국전자통신연구원]	입자 빔 발생장치(PARTICLE BEAM GENERATOR)	새창보기
[KST2015090695][한국전자통신연구원]	이온 발생용 타깃 및 이를 이용한 치료 장치	새창보기
[KST2015092200][한국전자통신연구원]	종양 치료용 탄소이온 발생 금 탐침-그래핀 타겟 및 그 제조방법	새창보기
[KST2016014437][한국전자통신연구원]	이온 발생 방법(METHOD FOR GENERATING IONS)	새창보기
[KST2015091069][한국전자통신연구원]	이온 빔 프로파일러, 이온 빔 필터, 및 이온 빔 필터를 장착한 이온 빔 생성 장치	새창보기
[KST2015091229][한국전자통신연구원]	양성자 빔 발생 장치 및 이를 이용한 치료 방법	새창보기
[KST2015225752][한국전자통신연구원]	방사선 발생 장치(APPARATUS FOR GENERATING RADIATION)	새창보기
[KST2015086949][한국전자통신연구원]	하전 입자 발생용 타겟의 제조방법, 타겟 구조체 및 그를 구비한 치료 장치	새창보기
[KST2016016479][한국전자통신연구원]	하전 입자 발생 장치(APPARATUS FOR GENERATING CHARGED PARTICLES)	새창보기
[KST2015090415][한국전자통신연구원]	입자 빔 발생장치	새창보기
[KST2015090513][한국전자통신연구원]	이온 발생용 타깃 및 이를 이용한 치료 장치	새창보기
[KST2015090544][한국전자통신연구원]	양성자 빔 발생장치	새창보기
[KST2015091002][한국전자통신연구원]	양성자 발생용 타깃, 그 제조 방법 및 이를 이용한 치료 장치	새창보기
[KST2015092625][한국전자통신연구원]	레이저 이온 가속용 박막, 그것의 제조 장치, 및 그것을 이용한 치료 장치	새창보기
[KST2016017595][한국전자통신연구원]	하전입자 생성용 일체형 타겟 구조체 및 이를 이용한 의료기구의 구동방법(INTEGRATED TARGET STRUCTURE FOR GENERATING CHARGED PARTICLE AND DRIVING METHOD OF MEDICAL APPLIANCE USING THE SAME)	새창보기
[KST2015090335][한국전자통신연구원]	이온 발생용 타깃 및 이를 이용한 치료 장치	새창보기
[KST2015094703][한국전자통신연구원]	탄소 이온 발생 장치 및 이를 이용한 종양 치료 장치	새창보기
[KST2015098143][한국전자통신연구원]	양이온 발생용 타깃, 그 제조 방법 및 이를 이용한 치료 장치	새창보기
[KST2017009889][한국전자통신연구원]	빔 집속기 및 그를 구비하는 입자 빔 깊이 프로파일 측정 장치(beam concentrator and particle beam depth profile measurement apparatus including the same)	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.