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확산 노드;포토다이오드;상기 확산 노드와 포토다이오드 간에 전하 전송 채널을 형성하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터; 및상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 포토다이오드 영역 및 그 주변 영역 중 암전류가 발생하는 일부 영역과 절연된 상태로 오버랩되는 암전류 제거 전극을 포함하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 암전류 제거 전극은, 상기 포토다이오드의 가장자리 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 암전류 제거 전극은, STI 주변에 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 암전류 제거 전극은, 투명한 전도체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 트랜스퍼 트랜지스터는,상기 포토다이오드를 구성하는 표면 p타입 영역 및 상기 포토다이오드에서 확산 노드로의 전하 전송 채널 사이에 형성되며, 포토다이오드의 표면 p타입 영역과 다른 도핑 패턴을 가지는 p타입 도핑부;상기 p타입 도핑부 및 상기 전하 전송 채널 상부에 위치하는 게이트 옥사이드; 및상기 게이트 옥사이드 상부에 위치하는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제5항에 있어서, 상기 p타입 도핑부는, 상기 표면 p타입 영역을 형성하기 위해 기판에 부여된 p형 도펀트 물질의 경계부에서의 확산에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제5항에 있어서, 상기 게이트 옥사이드는, 상기 포토다이오드에서 확산 노드로의 전하 전송 채널 상부에 위치하는 메인 게이트 옥사이드; 및상기 메인 게이트 옥사이드에 연속되며 상기 포토다이오드의 일부 영역과 오버랩되도록 위치하는 서브 게이트 옥사이드를 포함하며,상기 게이트 전극은, 상기 메인 게이트 옥사이드 상부에 위치하는 메인 게이트 전극; 및상기 메인 게이트 전극에 연속되어 상기 서브 게이트 옥사이드 상부에 위치하는 서브 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제7항에 있어서, 상기 서브 게이트 옥사이드는, 상기 메인 게이트 옥사이드 보다 얇은 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제7항에 있어서, 상기 서브 게이트 전극은, 투명한 전도체 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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