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굴절률(n)이 적어도 2인 제 1 산화물 입자와, 상기 제 1 산화물 입자보다 크기가 크고 굴절률이 2 미만인 제 2 산화물 입자를 함유하는 반도체층을 기판 위에 포함하고,상기 반도체층은 상기 제1 산화물 입자와 상기 제2 산화물 입자를 함유하는 혼합 반도체층의 단층 구조인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극
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제 3 항에 있어서, 상기 반도체층은 상기 기판과 상기 혼합 반도체층 사이에 제 1 산화물 입자를 포함하는 하부 반도체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극
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제 3 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 제1 산화물 입자는 이산화 티탄(TiO2)임을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극
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제 3 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 제2 산화물 입자는 이산화 규소(SiO2)임을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극
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제 7항에 있어서, 상기 이산화 규소는 200 내지 300㎚의 입자 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극
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제1 전도성 기판과, 상기 제1 전도성 기판에 형성되고 100㎚ 이하의 크기를 갖고 굴절률이 2이상인 제1 산화물 입자와 100㎚ 내지 10㎛의 크기를 갖고 굴절률이 2 미만인 제2 산화물 입자를 함유하는 반도체층을 포함하는 반도체 전극; 제2 전도성 기판과 상기 제2 전도성 기판에 형성된 금속층 또는 탄소층을 포함하는 상대 전극; 및 상기 반도체 전극과 상기 상대 전극 사이에 주입된 전해질 용액을 포함하는 염료감응 태양전지
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제 9 항에 있어서, 상기 반도체 전극은 제1 전도성 기판과, 상기 제1 전도성 기판에 형성되고 상기 제1 산화물 입자와 상기 제2 산화물 입자가 혼합된 혼합 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제 9 항에 있어서, 상기 반도체 전극은 상기 제1 전도성 기판, 상기 제1 전도성 기판에 형성되고 상기 제1 산화물 입자를 포함하는 하부 반도체층, 및 상기 하부 반도체층에 형성되고 상기 제2 산화물 입자를 포함하는 상부 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제 9 항에 있어서, 상기 반도체 전극은 제1 전도성 기판, 상기 제1 전도성 기판에 형성되고 제1 산화물 입자를 포함하는 하부 반도체층, 및 상기 하부 반도체층에 형성되고 상기 제1 산화물 입자와 상기 제2 산화물 입자를 포함하는 혼합 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제 9 항 내지 제 12 항의 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 산화물 입자는 이산화 티탄인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제 9 항 내지 제 12 항의 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 산화물 입자는 이산화 규소인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제 3 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 산화물 입자는 100㎚ 이하의 크기를 갖고 상기 제 2 산화물 입자는 100㎚ 내지 10㎛의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극
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