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하부 및 상부 캐리어 운반층들 사이에 개재된 광전 변환층; 및상기 상부 캐리어 운반층 상에 배치된 공통 전극을 포함하되,상기 광전 변환층은 실리콘 나노 결정(Silicon Nanocrytals)을 함유하는 실리콘 질화막(SiNx)을 포함하는 이미지 센서
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제 1 항에 있어서,상기 상부 캐리어 운반층 및 상기 공통 전극 사이에 개재된 금속 입자층을 더 포함하되,상기 금속 입자층은 나노미터 오더의 크기를 갖는 금속 입자들을 포함하는 이미지 센서
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제 2 항에 있어서,상기 금속 입자층은 금(Au), 은(Ag) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 하나의 금속 입자들을 포함하는 이미지 센서
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제 2 항에 있어서,상기 금속 입자층 내의 상기 금속 입자들의 크기는 1 nm 내지 1000 nm인 이미지 센서
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제 2 항에 있어서,상기 금속 입자층 내의 상기 금속 입자들은 원, 타원, 또는 막대 모양의 형태를 갖는 이미지 센서
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제 1 항에 있어서,상기 하부 캐리어 운반층은 제1 도전형으로 도핑된 반도체 물질을 포함하는 이미지 센서
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제 1 항에 있어서,상기 상부 캐리어 운반층은 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형으로 도핑된 반도체 물질을 포함하는 이미지 센서
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제 1 항에 있어서,상기 상부 캐리어 운반층은 실리콘 카바이드계 물질을 포함하는 이미지 센서
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제 1 항에 있어서,상기 공통 전극은 ITO(Indium tin oxide) 전극 또는 SnO2, In2O3, Cd2SnO4, ZnO 등의 물질을 포함하는 전도성 전극인 이미지 센서
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전극 상에 배치된 상부 전극 및 상기 하부 캐리어 운반층 아래에 배치된 하부 전극을 더 포함하되,상기 상부 및 하부 전극들은 니켈(Ni) 또는 금(Au)을 포함하는 이미지 센서
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