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독립된 결정상을 갖는 서로 다른 종류의 산화물 나노 결정 입자들을 포함하고, 여기서 산화물 나노 결정 입자는 ABO3형 로브스카이트 산화물(BaTiO3, 금속 도핑된 BaTiO3, SrTiO3, BaSnO3), ZnO, CuO, NiO, SnO2, TiO2, CoO, In2O3, WO3, MgO, CaO, La2O3, Nd2O3, Y2O3, CeO2, PbO, ZrO2, Fe2O3, Bi2O3, V2O5, VO2, Nb2O5, Co3O4 및 Al2O3로 이루어진 군에서 서로 다른 2종 이상이 선택되는 것을 특징으로 하는 정전용량형 환경 가스 센서용 나노 결정 복합 산화물 박막
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제 1 항에 있어서,
상기 이종 산화물 나노 결정 입자는 직경이 1 nm 내지 100 nm 인 것을 특징으로 하는 정전용량형 환경 가스 센서용 나노 결정 복합 산화물 박막
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기판;
상기 기판상에 형성된 금속 전극; 및
상기 금속 전극 상에 독립된 결정상을 갖는 서로 다른 종류의 산화물 나노 결정입자들을 포함하고, 여기서 산화물 나노 결정 입자는 ABO3형 로브스카이트 산화물(BaTiO3, 금속 도핑된 BaTiO3, SrTiO3, BaSnO3), ZnO, CuO, NiO, SnO2, TiO2, CoO, In2O3, WO3, MgO, CaO, La2O3, Nd2O3, Y2O3, CeO2, PbO, ZrO2, Fe2O3, Bi2O3, V2O5, VO2, Nb2O5, Co3O4 및 Al2O3로 이루어진 군에서 서로 다른 2종 이상이 선택되는 것인 복합 산화물 박막을 포함하는 정전용량형 환경 가스 센서
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제 4항에 있어서,
상기 기판은 산화물 단결정 및 세라믹 기판(MgO, LaAl2O3, 및 Al2O3), 실리콘 반도체 기판(Si, SiO2), 및 유리기판으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나임을 특징으로 하는 정전용량형 환경 가스 센서
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제 4항에 있어서,
상기 기판은 0
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제 4항에 있어서,
상기 금속전극은 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 및 크롬(Cr)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 환경 가스 센서
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제 4항에 있어서,
상기 나노결정 복합 산화물 박막은 1 내지 1000 nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 정전용량형 환경 가스 센서
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기판 상에 금속 전극을 형성하는 단계; 및
상기 금속 전극 상에 이종 산화물 나노 결정 입자를 성장시켜 나노 결정 복합 산화물 박막을 형성하는 단계를 포함하되,
여기서 산화물 나노 결정 입자는 ABO3형 로브스카이트 산화물(BaTiO3, 금속 도핑된 BaTiO3, SrTiO3, BaSnO3), ZnO, CuO, NiO, SnO2, TiO2, CoO, In2O3, WO3, MgO, CaO, La2O3, Nd2O3, Y2O3, CeO2, PbO, ZrO2, Fe2O3, Bi2O3, V2O5, VO2, Nb2O5, Co3O4 및 Al2O3로 이루어진 군에서 서로 다른 2종 이상이 선택되는 것인 정전용량형 환경 가스 센서의 제조방법
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제 10항에 있어서,
상기 이종 산화물 나노 결정 입자의 성장은 이종의 산화물 세라믹 타겟을 이용하여 펄스레이저 증착법 또는 스퍼터법을 통해 수행되는 것인 정전용량형 환경 가스 센서의 제조방법
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제 10항에 있어서,
상기 이종 산화물 나노 결정 입자의 성장은 두 개의 산화물 세라믹 타겟을 이용하여 이중 레이저 빔을 갖는 펄스레이저 증착법을 통해 수행되는 것인 정전용량형 환경 가스 센서의 제조방법
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제 10항에 있어서,
상기 나노 결정 복합 산화물 박막을 형성하는 단계는 실온 내지 800℃의 증착온도에서 진행되는 환경 가스 센서의 제조방법
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