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대역폭이 향상된 트랜스임피던스 전치 증폭기

  • 기술번호 : KST2015097916
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 대역폭이 향상된 트랜스임피던스 전치 증폭기가 개시된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 트랜스임피던스 전치 증폭기는 레귤레이티드 캐스코드 구조에 병렬로 연결되는 피드백 회로를 추가함에 따라 입력저항 값을 작게 하여 손쉽게 대역폭을 확장한다. 또는 레귤레이티드 캐스코드 구조에 인덕터를 추가함에 따라 입력 커패시턴스를 작게 하여 손쉽게 대역폭을 확장한다.
Int. CL H03F 3/08 (2006.01) H03F 3/45 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130034809 (2013.03.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0118599 (2014.10.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.29)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영호 대한민국 대전 서구
2 이상수 대한민국 대전 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0278051-56
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0985009-46
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0836084-34
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0552592-14
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-1013187-71
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1013188-16
8 등록결정서
Decision to grant		 2019.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0010757-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력전류를 증폭하여 출력전압을 발생하는 증폭부와, 상기 증폭부의 입력노드와 연결되고 입력전류를 증폭하여 상기 증폭부에 음의 피드백을 수행하는 제1 피드백 증폭부를 포함하는 레귤레이티드 캐스코드 회로; 및상기 레귤레이티드 캐스코드 회로의 입력저항을 감소시키기 위하여 상기 제1 피드백 증폭부의 출력을 입력받아 증폭하고 다시 상기 레귤레이티드 캐스코드 회로의 입력노드에 양의 피드백을 수행하는 제2 피드백 증폭부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 레귤레이티드 캐스코드 회로의 증폭부는,제1 접지 전압원과 입력노드 사이에 연결되고, 게이트에 DC 전압이 인가되는 전류원 제공 트랜지스터;상기 입력노드와 제1 저항 사이에 연결되고, 게이트가 상기 제1 피드백 증폭부의 출력과 연결되는 제1 NMOS 트랜지스터; 및상기 제1 NMOS 트랜지스터와 제1 공급 전압원 사이에 형성되는 제1 저항;을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제1 피드백 증폭부는,상기 증폭부의 제1 NMOS 트랜지스터와 제2 저항 사이에 형성되는 노드 및 제2 접지 전압원 사이에 형성되고, 게이트가 상기 증폭부의 입력노드와 연결되는 제2 NMOS 트랜지스터; 및상기 증폭부의 제1 NMOS 트랜지스터와 상기 제2 NMOS 트랜지스터 사이에 형성되는 노드 및 제2 공급 전압원 사이에 형성되는 제2 저항;을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
4 4
제 3 항에 있어서,상기 제1 피드백 증폭부의 제2 NMOS 트랜지스터 및 제2 저항의 결합은 증폭이득 A를 갖는 음의 증폭기와 등가인 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제2 피드백 증폭부는,PMOS 트랜지스터와 제3 저항 사이에 형성되는 노드 및 제3 접지 전압원 사이에 형성되고, 게이트가 상기 제1 피드백 증폭부의 출력과 연결되는 제3 NMOS 트랜지스터;상기 제3 NMOS 트랜지스터와 상기 PMOS 트랜지스터 사이에 형성되는 노드 및 제3 공급 전압원 사이에 형성되는 제3 저항; 및상기 증폭부의 입력노드와 제4 공급 전압원 사이에 형성되고, 게이트가 상기 제3 NMOS 트랜지스터의 출력과 연결되는 PMOS 트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
6 6
제 5 항에 있어서,상기 제2 피드백 증폭부의 제3 NMOS 트랜지스터, 제3 저항 및 PMOS 트랜지스터의 결합은 증폭이득 A1을 갖는 양의 증폭기와 등가인 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제1 피드백 증폭부와 상기 제2 피드백 증폭부의 결합은 증폭이득 A2를 갖는 음의 증폭기와 등가인 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
8 8
제 2 항에 있어서, 상기 전류원 제공 트랜지스터는,입력전류의 크기에 관계없이 상기 증폭부에 일정한 전류를 제공할 수 있도록 DC 전압이 인가되고 장 채널인 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 트랜스임피던스 전치 증폭기는,광신호를 검출하여 이를 전류신호로 변환한 후 상기 증폭부에 입력전류를 제공하는 광 검출기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
10 10
입력전류를 증폭하여 출력전압을 발생하는 증폭부와, 상기 증폭부의 입력노드와 연결되고 입력전류를 증폭하여 상기 증폭부에 음의 피드백을 수행하는 제1 피드백 증폭부를 포함하는 레귤레이티드 캐스코드 회로; 및상기 제1 피드백 증폭부의 NMOS 트랜지스터에 의해 증가한 커패시턴스 값을 감소시키기 위하여 상기 증폭부의 입력노드와 상기 제1 피드백 증폭부의 입력노드 사이에 직렬로 연결되는 인덕터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 레귤레이티드 캐스코드 회로의 증폭부는,제1 접지 전압원과 입력노드 사이에 연결되고, 게이트에 DC 전압이 인가되는 전류원 제공 트랜지스터;상기 입력노드와 제1 저항 사이에 연결되고, 게이트가 상기 제1 피드백 증폭부의 출력과 연결되는 제1 NMOS 트랜지스터; 및상기 제1 NMOS 트랜지스터와 제1 공급 전압원 사이에 연결되는 제1 저항;을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 제1 피드백 증폭부는,상기 증폭부의 제1 NMOS 트랜지스터와 제2 저항 사이에 형성되는 노드 및 제2 접지 전압원 사이에 형성되고, 게이트가 상기 증폭부의 입력노드와 연결되는 제2 NMOS 트랜지스터; 및상기 증폭부의 제1 NMOS 트랜지스터와 상기 제2 NMOS 트랜지스터 사이에 형성되는 노드 및 제2 공급 전압원 사이에 형성되는 제2 저항;을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 전류원 제공 트랜지스터는,입력전류의 크기에 관계없이 상기 증폭부에 일정한 전류를 제공할 수 있도록 DC 전압이 인가되고 장 채널인 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
14 14
제 10 항에 있어서, 상기 트랜스임피던스 전치 증폭기는광신호를 검출하여 이를 전류신호로 변환한 후 상기 증폭부에 입력전류를 제공하는 광 검출기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
15 15
입력전류를 증폭하여 출력전압을 발생하는 증폭부와, 상기 증폭부의 입력노드와 연결되고 입력전류를 증폭하여 상기 증폭부에 음의 피드백을 수행하는 제1 피드백 증폭부를 포함하는 레귤레이티드 캐스코드 회로;상기 레귤레이티드 캐스코드 회로의 입력저항을 감소시키기 위하여 상기 제1 피드백 증폭부의 출력을 입력받아 증폭하고 다시 상기 레귤레이티드 캐스코드 회로의 입력노드에 양의 피드백을 수행하는 제2 피드백 증폭부; 및상기 레귤레이티드 캐스코드 회로의 입력저항을 감소시키기 위하여 상기 증폭부의 입력노드와 상기 제1 피드백 증폭부의 입력노드 사이에 직렬로 연결되는 인덕터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 레귤레이티드 캐스코드 회로의 증폭부는,제1 접지 전압원과 입력노드 사이에 연결되고, 게이트에 DC 전압이 인가되는 전류원 제공 트랜지스터;상기 입력노드와 제1 저항 사이에 연결되고, 게이트가 상기 제1 피드백 증폭부의 출력과 연결되는 제1 NMOS 트랜지스터; 및상기 제1 NMOS 트랜지스터와 제1 공급 전압원 사이에 연결되는 제1 저항;을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 제1 피드백 증폭부는,상기 증폭부의 제1 NMOS 트랜지스터와 제2 저항 사이에 형성되는 노드 및 제2 접지 전압원 사이에 형성되고, 게이트가 상기 증폭부의 입력노드와 연결되는 제2 NMOS 트랜지스터; 및상기 증폭부의 제1 NMOS 트랜지스터와 상기 제2 NMOS 트랜지스터 사이에 형성되는 노드 및 제2 공급 전압원 사이에 형성되는 제2 저항;을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
18 18
제 15 항에 있어서, 상기 제2 피드백 증폭부는,PMOS 트랜지스터와 제3 저항 사이에 형성되는 노드 및 제3 접지 전압원 사이에 형성되고, 게이트가 상기 제1 피드백 증폭부의 출력과 연결되는 제3 NMOS 트랜지스터;상기 제3 NMOS 트랜지스터와 상기 PMOS 트랜지스터 사이에 형성되는 노드 및 제3 공급 전압원 사이에 형성되는 제3 저항; 및상기 증폭부의 입력노드와 제4 공급 전압원 사이에 형성되고, 게이트가 상기 제3 NMOS 트랜지스터의 출력과 연결되는 PMOS 트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 전치 증폭기
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1 US09379674 US 미국 FAMILY
2 US20140292413 US 미국 FAMILY

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1 US2014292413 US 미국 DOCDBFAMILY
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