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X-밴드용 섭동준 고리형 고온 초전도 이중모드 5-극대역통과필터및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015097920
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 RF 및 마이크로파 통신시스템이나 통신기기에 사용되는 멀티플렉서, 믹서등의 핵심부품을 구성하는 핵심소자이면서도 기본소자인 특정주파수대역에서만 정보를 통과시키게 하는 X-밴드용 섭동준고리형 고온초전도 이중모드 5-극 대역통과 필터에 관한 것으로, RF 및 마이크로파 특성이 우수한 MaO 단결정 기판과 상기 단결정 기판 상부의 한쪽 모서리에 형성한 신호 전송용 입출력단(gold pad 포함)과 상기 단결정 기판 상부의 상기 입출력단과 마이크로스트립 결합선 사이에 신호의 전송에너지를 제어하거나 필터링하는 섭동준 고리형 공진기 2개와 마이크로스트립 결합선을 집적시킨 고리형 고온초전도 이중모드 5-극 대역통과 필터의 회로패턴과, 상기 단결정 기판의 하부에 증착시킨 접지평면용의 금속박막을 포함하여 구성되어 고리형 고온초전도 이중모드 대역통과 필터의 극수를 5-극으로 하고, 회로패턴의 크기는 기판의 크기를 고려하여 15㎜×15㎜내로 하여, 마이크로파 특성은 통과대역에서의 맥류진폭도 매우 작안 평평도가 우수하고, 저지대역까지의 가파르기인 스커트 특성도 우수하다.
Int. CL H03H 9/00 (2006.01)
CPC H01L 27/18(2013.01) H01L 27/18(2013.01) H01L 27/18(2013.01)
출원번호/일자 1019950054534 (1995.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0171021-0000 (1998.10.16)
공개번호/일자 10-1997-0055301 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (19990330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강광용 대한민국 대전광역시 유성구
2 한석길 대한민국 대전광역시 서구
3 김제하 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0210649-31
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0210648-96
3 특허출원서
Patent Application		 1995.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0210647-40
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0210650-88
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0210651-23
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0111363-27
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

마이크로파 특성이 우수한 MgO 단결정 기판과; 상기 단결정 기판 상부의 한 모서리에 형성되고 패드용 금박막이 증착된 신호전송용 입출력단과; 상기 단결정 기판 상부의 상기 입출력단과 마이크로스트립 결합선 사이에 신호의 전송에너지를 제어하거나 필터링하는 섭동준 고리형 공진기 2개를 집적시킨 고온초전도 이중모드 5-극 대역통과 필터의 회로패턴과; 상기 단결정기판의 하부에 증착시킨 접지평면용 금속박막을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 X-밴드용 섭동준 고리형 고온초전도 이중모드 5-극 대역통과 필터

2 2

MgO 단결정 기판 상부에 펄스-레이저 증착법에 의해하여 고온초전도 박막을 성장하고 패드용 금박막을 증착한 후, 상기 금박막을 통상의 포토리소그래피 방법에 의해 패턴링하는 제1단계와; 상기 제1단계의 수행 후, 포토리소그래피 공정인 고속 회전도포기로서 포토레지스터를 상기 고온초전도 박막 상에 도포하고 연 굽기를 수행하는 제2단계와; 상기 제2단계의 수행 후, 접촉정렬기와 UV-소스로써 노광공정을 행하고, 감광된 포토레지스터 막을 제거하는 제3단계와; 상기 제3단계의 수행 후, EDTA-습식식각 또는 ECT-ion milling-건식식각에 의한 상기 고온초전도 박막을 형상화하고 포토레지스터 막을 제거하는 제4단계와; 상기 제4단계의 수행 후, 커넥터 핀과의 우수한 접촉을 위해 금패드를 형성한 후, 상기 고온초전도 이중모드 5극 대역통과 필터 패턴의 표면과 오염된 기판의 표면을 세정하는 제5단계와; 상기 제5단계의 수행으로 고온초전도 이중모드 대역통과 필터가 완성되면, 전자선 증발기로서 Ti/Ag 이중금속 박막을 증착하여 기판 뒷면의 접지평면을 제조하는 제6단계를 포함하여 수행되는 것을 특징으로 하는 X-밴드용 섭동준 고리형 고온초전도 이중모드 5-극 대역통과 필터의 제조방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 소정의 회로패턴에 의한 상기 이중모드 대역통과 필터의 중심주파수가 3~33㎓ 사이인 것을 특징으로 하는 X-밴드용 섭동준 고리형 고온초전도 이중모드 5-극 대역통과 필터 및 그 제조방법

4 4

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 단결정 기판은 회로패턴의 크기축소와 관련되어, 15㎜×15㎜×0

5 5

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고온초전도체는 YBa2Cu3O7-8인 것을 특징으로 하는 X-밴드용 섭동준 고리형 고온초전도 이중모드 5-극 대역통과 필터 및 그 제조방법

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1 JP09186502 JP 일본 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP9186502 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH09186502 JP 일본 DOCDBFAMILY
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