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바이폴라반도체장치의패턴이동측정방법및그측정기

  • 기술번호 : KST2015097948
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL G01B 7/16 (2006.01)
CPC G01B 7/16(2013.01)
출원번호/일자 1019910024267 (1991.12.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0075820-0000 (1994.07.28)
공개번호/일자 10-1993-0013676 (1993.07.22) 문서열기
공고번호/일자 1019940003966 (19940509) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.12.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백문철 대한민국 대전직할시유성구
2 조경익 대한민국 대전직할시중구
3 권오준 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.00.00 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132462-44
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.00.00 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132461-09
3 특허출원서
Patent Application		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132460-53
4 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.22.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132463-90
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1994.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063915-11
6 등록사정서
Decision to grant		 1994.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063916-67
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

한변의 길이가 50㎛인 정사각형 패턴들이 50㎛간격으로 각각 가로 및 세로(X-Y)방향으로 적어도 11개씩 배열되고 중앙부의 정사각형 패턴을 0으로 하여 가로 및 세로(X-Y)방향으로 각각 ±1 내지 ±5의 값이 표기된 매몰층용 마스크와, 상기 매몰층용 마스크의 정사각형 패턴보다 변의 길이를 5㎛씩 크게한 패턴들이 46㎛간격을 두고 가로 및 세로 방향으로 각각 적어도 11개씩 배열되되 중앙부의 정사각형 패턴으로부터 ±1㎛ 내지 ±5㎛씩 오정렬된 소자격리용 마스크로 구성되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 반도체 장치의 패턴이동측정기

2 2

한변의 길이가 50㎛인 정사각형 패턴들이 50㎛간격으로 각각 가로 및 세로(X-Y)방향으로 적어도 11개씩 배열되고 중앙부의 정사각형패턴을 0으로 하여 가로 및 세로방향으로 각각±1 내지 ±5의 값이 표기된 매몰층용 마스크의 상기 중앙부 정사각형패턴과, 상기 매몰층용 마스크의 정사각형 패턴보다 변의 길이가 5㎛씩 크게한 패턴들이 46㎛간격을 두고 가로 및 세로 방향으로 각각 적어도 11개씩 배열되되 중앙부의 정사각형 패턴으로부터 ±1㎛ 내지 ±5㎛씩 오정렬된 소자격리용 마스크의 중앙부 정사각형패턴을 상호 일치시켜 시편상에 올려놓은후, 소자격리용 마스크의 각 패턴들에 대해 에피택시 표면과 소자격리영역간의 항복전압들을 측정하는 단계와 ; 상기 단계에서 측정된 항복전압들중 주위의 패턴들에 비해 높은 항복전압을 나타내는 상기 소자격리용 마스크의 패턴의 가로 및 세로(X-Y)값을 읽는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 바이폴라 반도체 장치의 패턴이동 측정방법

3 3

제2항에 있어서, 상기 소자격리용 마스크의 패턴들의 크기 및 간격은 에피택시층의 두께 및 공정조건에 상응하게 조절되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 반도체 장치의 패턴이동 측정방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.