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핫-일렉트론 적외선 장치

  • 기술번호 : KST2015097983
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 핫-일렉트론 적외선 장치에 관한 것으로, 이질 접합 핫-일렉트론 전자 장치(HET) 구조에서 적외선 흡수에 의해 전자의 인터서브 밴드 천이가 가능한 공진 터널링 양자 우물 구조와 블록킹 장벽층, 넓은 스페이서층으로 에미터의 전자 투사 장벽층(electron injecting barrier)을 형성하고, 베이스층에 적외선 주파수 선택 기능의 양자 우물 구조를 도입하므로써 특정 적외선의 주파수를 선택, 증폭 및 처리할 수 있고, 암류(dark current)의 감소를 유도할 수 있다. 따라서, 개선된 초고속 튜너블 적외선 신호 탐지 및 증폭기, 초고속 스위칭 및 논리 장치(digital logic), 새로운 기능의 고속 적외선 논리 장치, 논리 소자의 갯수를 줄일 수 있는 새로운 고속 적외선 논리 기능 소자 등에 응용할 수 있다.
Int. CL H01L 29/737 (2006.01)
CPC H01L 29/66931(2013.01) H01L 29/66931(2013.01)
출원번호/일자 1019970072768 (1997.12.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0268173-0000 (2000.07.11)
공개번호/일자 10-1999-0053177 (1999.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (20001016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경옥 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0226783-39
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0226784-85
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0226785-20
4 등록사정서
Decision to grant		 2000.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0154816-90
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기판 상부에 순차적으로 형성된 도전형 콜렉터층 및 콜렉터 장벽층과,

상기 콜렉터 장벽층 상부에 순차적으로 형성된 제 1 도전형 베이스층, 제 1 공진 터널링 양자 우물 및 제 2 도전형 베이스층과,

상기 제 2 도전형 베이스층 상부에 제 1 비도전형 스페이서층, 블록킹 장벽층, 제 2 공진 터널링 양자 우물 및 제 2 비도전형 스페이서층이 순차적으로 적층되어 형성된 에미터 전위 장벽층과,

상기 에미터 전위 장벽층 상부에 형성된 도전형 에미터층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 핫-일렉트론 적외선 장치

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 공진 터널링 양자 우물은 양자 장벽층, 양자 우물층 및 양자 장벽층이 순차적으로 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 핫-일렉트론 적외선 장치

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 공진 터널링 양자 우물 대신에 수퍼 래티스인 것을 특징으로 하는 핫-일렉트론 적외선 장치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.