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모노리틱마이크로웨이브집적회로용기판및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015098010
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고주파수 대역(800MHz~10GHz)의 모노리틱 마이크로 웨이브 집적회로(MMIC)의 제작을 가능하게 하는 실리콘 기판이 구조 및 그 제조방법이 개시된다. 실리콘 반도체 기판(41)의 양측으로부터 두 트렌치 각각으로 까지의 사이에는, 적어도 30㎛ 이상의 두께로 형성된 다공질 실리콘 산화막(60)이 형성되어 있다. 실리콘 산화막(48)과 실리콘 질화막(49)은 다공질 실리콘층의 형성시 반드시 발생되는 실리콘 반도체 기판(41)으로의 응력을 충분히 감소시킬 수 있을 정도의 두께로 각각 형성된다. 본 발명에 따른 실리콘 기판을 MMIC의 제작에 적용하면 제품의 생산성을 높이고 원가를 절감할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 29/12 (2006.01)
CPC H01L 27/016(2013.01)
출원번호/일자 1019940034389 (1994.12.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0146659-0000 (1998.05.12)
공개번호/일자 10-1996-0026920 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19980801) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.15)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권오준 대한민국 대전직할시유성구
2 이정희 대한민국 대구직할시북구
3 이용현 대한민국 대구직할시수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1994-0154751-53
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1994-0154752-09
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1994-0154753-44
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0154754-90
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0154755-35
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0086317-15
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.04.07 수리 (Accepted) 1-1-1994-0154758-72
8 의견서
Written Opinion		 1998.04.07 수리 (Accepted) 1-1-1994-0154757-26
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.04.07 수리 (Accepted) 1-1-1994-0154756-81
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0086318-61
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

붕소(B)가 5

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1 절연막은 실리콘 산화막을 사용하고, 상기 제2 절연막은 실리콘 질화막을 사용한 것을 특징으로 하는 모노리틱 마이크로웨이브 집적회로용 기판

3 3

붕소(B)가 5

4 4

제9항에 있어서, 상기 산화층(60)은 350℃ 정도의 온도와 10Torr 정도의 기압조건의 건조 산소 분위기에서 열처리하고, 약 900℃ 정도의 온도와 H2/O2 분위기에서 1 시간 동안 상기 다공질 실리콘층(56)을 산화시키는 것에 의해 형성하는 것을특징으로 하는 모노리틱 마이크로 웨이브 집적회로용 기판의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.