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쓰기횟수제한이있는비휘발성메모리의사용기간연장방법

  • 기술번호 : KST2015098078
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 쓰기 횟수 제한이 있는 비휘발성 메모리 칩의 사용기간 연장방법에 관한 것으로, 공간을 골고루 활용하여 프레쉬 메모리의 사용기간을 길게 하여 실제적인 사용이 가능하도록 한다.에프램 소프트웨어는 메인 메모리처럼 사용되는 에프램 영역을 계속 사용하다가 사용할 수 없는 시기에 도달하면, 다른 영역을 사용하며, 특히, 에프램 소프트웨어는 제한된 쓰기 횟수를 모두 사용하여 폐기된 영역이 많아지면, 경보를 알려 사용자가 메모리를 교체할 수 있게 한다. 그리고, 에프렘 소프트웨어도 프레쉬 소프트웨어와 마찬가지로 블럭 요구 및 반환처리시 사용이 적은 비휘발성 메모리 영역을 할당함으로써 블럭 이동횟수를 줄일 수 있는 효과가 있다.
Int. CL G11C 16/06 (2006.01)
CPC G06F 12/0246(2013.01)
출원번호/일자 1019930019967 (1993.09.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0101545-0000 (1996.07.03)
공개번호/일자 10-1995-0009733 (1995.04.24) 문서열기
공고번호/일자 1019960003401 (19960309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.09.27)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백영식 대한민국 대전직할시대덕구
2 오현주 대한민국 대전직할시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1993.09.27 수리 (Accepted) 1-1-1993-0103922-45
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1993.09.27 수리 (Accepted) 1-1-1993-0103923-91
3 출원심사청구서
Request for Examination
1993.09.27 수리 (Accepted) 1-1-1993-0103924-36
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1995.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0044096-12
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
1995.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0103925-82
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
1995.09.20 수리 (Accepted) 1-1-1993-0103926-27
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1995.10.19 수리 (Accepted) 1-1-1993-0103928-18
8 의견서
Written Opinion
1995.10.19 수리 (Accepted) 1-1-1993-0103927-73
9 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1996.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0044097-57
10 등록사정서
Decision to grant
1996.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0044098-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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쓰기횟수 제한이 없는 램(RAM)과, 쓰기횟수 제한이 있는 비휘발성 메모리를 구비하고 있으며, 상기 쓰기횟수 제한이 있는 비휘발성 메모리를 메인 메모리로 사용하는 시스템에서 상기 비휘발성 메모리의 사용기간을 연장시키기 위한 방법에 있어서, 실제 쓰기를 행하는 영역으로는 상기 쓰기횟수 제한된 메모리를 이용하고 상기 쓰기횟수 제한된 메모리를 제어하기 위한 자료구조 영역으로는 상기 램(RAM)을 이용하되, 쓰기수행시 블럭이동을 최소화하기 위하여 상기 쓰기횟수 제한된 메모리의 블럭 요구시 상기 램의 헤드쪽 블럭이 할당되고 블럭 반환은 상기 램의 꼬리쪽에 삽입되게 하는 것을 특징으로 하는 쓰기횟수 제한이 있는 비휘발성 메모리의 사용기간 연장방법

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제1항에 있어서, 상기 쓰기 수행은 해당 블럭의 쓰기횟수 초과 여부를 검사하는(504) 제1단계 ; 상기 제1단계의 검사 결과에 따라, 쓰기동작을 수행하거나(505,506), 또는 새로운 블럭을 요구하고(507) 현재 사용하던 사용자 데이터 영역을 새로 할당된 블럭으로 옮기고(508) 프로그램 포인터 값을 갱신하며(509), 이전 블럭을 폐기하고(510), 폐기된 블럭 갯수를 하나 증가시키는(511) 제2단계 ; 및 상기 폐기된 블럭 갯수와, 사용자에 의해 미리 지정된 지정값을 비교하여(513) 사용자에게 경보되도록 처리하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 쓰기횟수 제한이 있는 비휘발성 메모리의 사용기간 연장방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.