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제1도전형의 반도체기판에 소자의 활성영역을 한정하는 공정과, 상기 활성영역에 채널영역을 제외한 부분에 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 소오스 및 드레인영역을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 채널영역과 소오스 및 드레인전극의 표면에 희생산화막과 질화막을 순차적으로 형성하고 상기 소오스 및 드레인전극의 측면에 측벽을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 체널영역에 제1도전형의 불순물을 이온 주입한 후 활성화시켜 상기 반도체기판 표면으로부터 소정 깊이의 범위에 중간 농도영역을 형성함과 동시에 상기 소오스 및 드레인전극에 도핑된 불순물을 확산시켜 소오스 및 드레인영역을 형성하는 공정과, 상기 소오스 및 드레인전극의 상부에 형성된 질화막과 산화막을 제거하는 공정과, 상기 소오스 및 드레인영역의 상부에 절연산화막을 형성하고, 상기 측벽, 질화막 및 산화막을 제거하여 상기 반도체기판의 채널영역을 노출시키는 공정과, 상기 반도체기판의 노출된 부분의 상부와 소오스 및 드레인전극의 측면에 게이트 산화막을 형성하고 게이트전극을 형성하는 공정을 구비하는 모스 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인전극을 불순물이 1×1020/㎠ 이상의 고농도 도핑된 다결정실리콘 또는 다결정실리사이드로 형성하는 모스 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 희생산화막을 열산화방법으로 100~300Å의 두께로 형성하는 모스트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 질화막을 저압화학기상증착 방법으로 100~2000Å의 두께로 형성하는 모스트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 중간 농도영역 형성시 불순물을 1×1012~1×1013/㎤의 도우즈량과 80~120keV 정도의 에너지로 이온주입하는 모스트랜지스터의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 중간 농도영역을 반도체기판의 도핑 농도 보다 1
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제6항에 있어서, 상기 중간 농도영역을 상기 반도체기판 표면으로부터 1500~5000Å 정도 깊이의 범위에 위치하도록 형성하는 모스트랜지스터 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 중간 농도영역과 상기 소오스 및 드레인영역이 접합되지 않도록 형성하는 모스트랜지스터의 제조방법
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