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양이온 발생용 타깃, 그 제조 방법 및 이를 이용한 치료 장치

  • 기술번호 : KST2015098143
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이온 빔 치료 장치가 제공된다. 이 치료 장치는 양이온 발생용 박막 및 양이온 발생용 박막의 적어도 일면 상에 제공된 나노 선들을 포함하는 양이온 발생용 타깃, 및 양이온 발생용 박막으로부터 양이온을 발생시켜 환자의 종양 부위로 투사하기 위해, 나노 선들로 레이저 빔을 입사시키기 위한 레이저를 포함한다. 나노 선들 각각은 금속 나노 코어 및 금속 나노 코어를 둘러싸는 폴리머 쉘을 포함할 수 있다. 나노 선들로 입사된 레이저 빔은 표면 플라즈몬 공명을 형성하고, 표면 플라즈몬 공명에 의해 레이저 빔의 세기보다 증강된 근접장이 형성되고, 근접장에 의해 양이온 발생용 박막으로부터 양이온이 방출된다.
Int. CL A61N 5/10 (2006.01) G21G 4/08 (2006.01) A61B 18/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120128336 (2012.11.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0061125 (2014.05.21) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.21)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정문연 대한민국 대전 유성구
2 표현봉 대한민국 대전 유성구
3 신동호 대한민국 대전 유성구
4 김승환 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0933279-55
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0045352-65
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0595394-41
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0014191-52
7 등록결정서
Decision to grant
2018.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0442674-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양이온 발생용 박막; 및상기 양이온 발생용 박막의 적어도 일면 상에 제공된 나노 선들을 포함하되,상기 나노 선들 각각은 금속 나노 코어 및 상기 금속 나노 코어를 둘러싸는 폴리머 쉘을 포함하고,상기 양이온 발생용 박막은 상기 나노 선들로 입사된 레이저 빔에 의해 양이온을 발생시키는 양이온 발생용 타깃
2 2
제 1항에 있어서,상기 금속 나노 코어는 금속 나노 입자들로 구성되는 양이온 발생용 타깃
3 3
제 2항에 있어서,상기 금속 나노 입자들은 금, 은, 구리 또는 알루미늄을 포함하는 양이온 발생용 타깃
4 4
제 2항에 있어서,상기 나노 선들은 상기 금속 나노 입자들을 포함하는 폴리머 용액을 전기방사시켜 형성되는 양이온 발생용 타깃
5 5
제 1항에 있어서,상기 금속 나노 코어는 수십~수백 나노미터의 선폭을 갖는 양이온 발생용 타깃
6 6
제 1항에 있어서,상기 양이온은 양성자, 탄소 이온, 산소 이온 또는 질소 이온인 양이온 발생용 타깃
7 7
제 6항에 있어서,상기 양이온은 양성자이고, 상기 양이온 발생용 박막은 수소 또는 나트륨을 함유하는 물질을 포함하는 양이온 발생용 타깃
8 8
제 7항에 있어서,상기 수소 또는 나트륨을 함유하는 물질은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 나트륨 질화물, 나트륨 산화물 또는 금속인 양이온 발생용 타깃
9 9
제 6항에 있어서,상기 양이온은 탄소 이온이고, 상기 양이온 발생용 박막은 그래핀을 포함하는 양이온 발생용 타깃
10 10
제 6항에 있어서,상기 양이온은 양성자, 탄소 이온, 산소 이온 또는 질소 이온이고, 상기 양이온은 상기 폴리머 쉘로부터 발생하는 양이온 발생용 타깃
11 11
제 1항에 있어서,상기 양이온 발생용 박막의 가장자리가 부착되되, 상기 양이온 발생용 박막을 지지하는 지지부를 더 포함하는 양이온 발생용 타깃
12 12
서로 대향하는 양면들을 갖는 양이온 발생용 박막의 하나의 면 상에, 전기방사 방식을 이용하여 금속 나노 코어 및 상기 금속 나노 코어를 둘러싸는 폴리머 쉘을 각각 포함하는 나노 선들을 형성하는 단계를 포함하되,상기 금속 나노 코어는 입사되는 레이저 빔에 의해 표면 플라즈몬 공명을 형성하고, 상기 표면 플라즈몬 공명에 의해 상기 레이저 빔의 세기보다 증강된 근접장이 형성되고, 상기 근접장에 의해 상기 양이온 발생용 박막으로부터 상기 양이온이 방출되는 양이온 발생용 타깃의 제조 방법
13 13
제 12항에 있어서,상기 전기방사 방식을 이용하여 상기 나노 선들을 형성하는 단계는:금속 나노 입자들을 함유하는 폴리머 용액을 준비하는 단계; 및상기 폴리머 용액 및 상기 양이온 발생용 박막 사이에 전압을 인가하는 단계를 포함하는 양이온 발생용 타깃의 제조 방법
14 14
제 13항에 있어서,상기 금속 나노 입자들은 금, 은, 구리 또는 알루미늄을 포함하는 양이온 발생용 타깃의 제조 방법
15 15
제 12항에 있어서,상기 나노 선들은 상기 금속 나노 코어가 수십~수백 나노미터의 선폭을 갖도록 형성되는 양이온 발생용 타깃의 제조 방법
16 16
제 12항에 있어서,상기 양이온 발생용 박막은 수소 또는 나트륨을 함유하는 물질, 또는 그래핀을 포함하는 양이온 발생용 타깃의 제조 방법
17 17
제 1항의 양이온 발생용 타깃; 및상기 양이온 발생용 박막으로부터 양이온을 발생시켜 환자의 종양 부위로 투사하기 위해, 상기 나노 선들로 레이저 빔을 입사시키기 위한 레이저를 포함하되,상기 나노 선들로 입사된 상기 레이저 빔은 표면 플라즈몬 공명을 형성하고, 상기 표면 플라즈몬 공명에 의해 상기 레이저 빔의 세기보다 증강된 근접장이 형성되고, 상기 근접장에 의해 상기 양이온 발생용 박막으로부터 상기 양이온이 방출되는 이온 빔 치료 장치
18 18
제 17항에 있어서,상기 레이저는 상기 양이온 발생용 박막에 대향하는 상기 나노 선들의 타 측에 배치되는 이온 빔 치료 장치
19 19
제 17항에 있어서,상기 레이저 빔은 펨토 초 레이저 빔인 이온 빔 치료 장치
20 20
제 17항에 있어서,상기 근접장의 세기는 상기 레이저 빔의 세기보다 수십~수만 배인 이온 빔 치료 장치
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1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업(ETRI지원사업) 종양치료용 레이저 이온 가속 시스템 원천 기술 개발