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기생 캐패시턴스 및 자장의 간섭을 감소시킬 수 있는 집적소자및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015098235
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 배선과 기판 사이의 상호 간섭작용을 최소화함으로써 배선을 통해 보다 안정적으로 신호를 전달시킬 수 있고, 인덕터를 이루는 금속 배선과 기판 사이의 기생 캐패시턴스를 감소시키며 기판에서의 자장 간섭작용을 억제시켜 인덕터의 성능을 향상시킬 수 있는 집적형 인덕터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 기판을 선택적으로 식각하여 상기 기판 내에 다수의 트렌치를 형성하는 제1 단계, 상기 각 트렌치 측벽 및 바닥의 상기 기판에 불순물을 주입하는 제2 단계, 산화공정을 실시하여 상기 각 트렌치 측벽 및 바닥의 상기 기판을 산화시켜 산화막을 형성함과 동시에, 상기 제2 단계에서 주입된 불순물을 확산시켜 상기 다수 트렌치 주변의 상기 기판 내부 및 표면에 불순물 도핑층을 형성하는 제3 단계, 상기 제3 단계가 완료된 전체 구조 상에 제1유전체막을 형성하여 상기 트렌치의 입구를 메움으로써 상기 트렌치 내에 공기층을 형성하는 제4 단계, 상기 제1유전체막상에 제 1 금속배선을 형성하는 제5 단계, 상기 제 1 금속배선상에 제2유전체막을 형성하고, 상기 제2유전체막을 선택적으로 식각하여 상기 제1금속배선을 노출시키는 비아홀을 형성하는 제6 단계, 및 상기 비아홀을 통해 상기 제1금속배선에 연결되는 제2금속배선을 형성하는 제7 단계를 포함한다.기판, 트렌치, 기생 캐패시턴스, 자장, 간섭
Int. CL H01L 27/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019980050417 (1998.11.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0319743-0000 (2001.12.21)
공개번호/일자 10-2000-0033521 (2000.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020509) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.11.24)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박민 대한민국 대전광역시 유성구
2 유현규 대한민국 대전광역시 유성구
3 김천수 대한민국 대전광역시 유성구
4 김충환 대한민국 대전광역시 유성구
5 김대용 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.11.24 수리 (Accepted) 1-1-1998-0398056-33
2 특허출원서
Patent Application		 1998.11.24 수리 (Accepted) 1-1-1998-0398054-42
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.11.24 수리 (Accepted) 1-1-1998-0398055-98
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0287866-47
5 의견서
Written Opinion		 2000.12.30 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2000-5406768-77
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.12.30 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2000-5406769-12
7 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2001.01.03 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2001-5002199-78
8 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2001.01.03 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2001-5002198-22
9 반려통지서
Notice for Return		 2001.02.23 수리 (Accepted) 1-5-2001-0012629-43
10 반려통지서
Notice for Return		 2001.03.05 수리 (Accepted) 1-5-2001-0013645-42
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2001.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0173174-11
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.07.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2001-0016863-16
14 등록결정서
Decision to grant		 2001.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0317165-33
15 FD제출서
FD Submission		 2001.12.28 수리 (Accepted) 2-1-2001-5216332-42
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

집적형 인덕터의 제조 방법에 있어서,

기판을 선택적으로 식각하여 상기 기판 내에 다수의 트렌치를 형성하는 제1 단계;

상기 각 트렌치 측벽 및 바닥의 상기 기판에 불순물을 주입하는 제2 단계;

산화공정을 실시하여 상기 각 트렌치 측벽 및 바닥의 상기 기판을 산화시켜 산화막을 형성함과 동시에, 상기 제2 단계에서 주입된 불순물을 확산시켜 상기 다수 트렌치 주변의 상기 기판 내부 및 표면에 불순물 도핑층을 형성하는 제3 단계;

상기 제3 단계가 완료된 전체 구조 상에 제1유전체막을 형성하여 상기 트렌치의 입구를 메움으로써 상기 트렌치 내에 공기층을 형성하는 제4 단계;

상기 제1유전체막상에 제 1 금속배선을 형성하는 제5 단계;

상기 제 1 금속배선상에 제2유전체막을 형성하고, 상기 제2유전체막을 선택적으로 식각하여 상기 제1금속배선을 노출시키는 비아홀을 형성하는 제6 단계; 및

상기 비아홀을 통해 상기 제1금속배선에 연결되는 제2금속배선을 형성하는 제7 단계

를 포함하는 집적형 인덕터의 제조 방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 제4 단계 후,

상기 제1유전체막을 선택적으로 식각하여 상기 기판 표면에 형성된 상기 불순물 도핑층을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 제8 단계; 및

상기 콘택홀을 통하여 상기 불순물 도핑층과 연결되는 전극을 형성하는 제9 단계

를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적형 인덕터의 제조 방법

3 3

제1항에 있어서,

상기 제2 단계에서,

상기 기판과 반대 도전형의 불순물을 주입하는 것을 특징으로 하는 집적형 인덕터의 제조 방법

4 4

제1항에 있어서,

상기 유전체막을 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 집적형 인덕터의 제조 방법

5 5

집적형 인덕터에 있어서,

기판;

상기 기판 내에 형성된 트렌치;

상기 트렌치 주변의 상기 기판 및 상기 트렌치의 입구를 덮는 유전체막;

상기 트렌치 및 상기 유전체막 사이에 형성된 공기층;

상기 트렌치 주변의 상기 기판 내부 및 표면에 형성된 불순물 도핑층;

상기 기판 표면에 형성된 상기 불순물 도핑층을 노출시키는 콘택홀; 및

상기 콘택홀을 통하여 상기 불순물 도핑층과 연결되는 전극;

상기 유전체막상에 상기 전극과 소정 간격을 두고 형성된 제1금속배선;

상기 제1금속배선상에 형성된 제2유전체막;

상기 제2유전막을 관통하는 비아홀; 및

상기 비아홀을 통해 상기 제1금속배선에 접속된 제2금속배선

포함하는 것을 특징으로 하는 집적형 인덕터

6 6

제8항에 있어서,

상기 트렌치는 상기 제2금속배선과 직교하는 것을 특징으로 하는 집적형 인덕터

7 7

제5항에 있어서,

상기 트렌치의 측벽 및 바닥은 산화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적형 인덕터

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1 US6274920 US 미국 DOCDBFAMILY
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