N+ 실리콘 기판 (1) 위에 N- 에피층 (2)을 성장시키고 산화막 (3)을 성장한 후, 트렌치 게이트 마스크를 사용하여 트렌치 게이트가 형성될 부분을 정의한 다음, 트렌치 게이트가 형성될 부분을 식각하고 남은 산화막 (3)을 마스크로 하여 P-웰 (5)을 형성하는 제1공정과;

트렌치 구조 및 트렌치 게이트 형성 시에 마스크로 이용될 측벽막 형성에 필요한 막을 성장하는 제2공정과;

측벽막이 형성될 부분을 정의한 다음 상기 제2공정에서 성장한 막을 식각하여 측벽막을 형성하고, 이를 마스크로 이용하여 P-웰 (5) 깊이 보다 깊게 N- 에피층 (2)을 식각하여 트렌치 구조 (8)를 형성하는 제3공정과;

게이트 산화막 (9)을 성장한 후, 불순물이 도핑된 다결정 실리콘 박막을 증착하여 트렌치를 채운 다음, 다결정 실리콘 박막을 이방성으로 식각하여 다결정 실리콘 게이트 전극 (10)을 형성하는 제4공정과;

측벽막을 제거한 다음, 그 자리에 불순물 N+ 를 이온 주입하여 소오스 영역 (11)을 형성하는 제5공정과;

산화막 (3)(4)을 식각한 후, 필드 산화막 (12)을 성장시키고, 소오스 및 게이트 전극 접촉 부분을 형성한 다음, 금속막을 증착하여 소오스 전극 (13) 및 게이트 전극을 형성한 후 기판 뒷면에 드레인 전극 (14)을 형성하는 제6공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 측벽막을 이용한 트렌치 게이트 전력소자 제조방법

P+ 실리콘 기판 (1a) 위에 P- 에피층 (2a)을 성장시키고 산화막 (3)을 성장한 후, 트렌치 게이트 마스크를 사용하여 트렌치 게이트가 형성될 부분을 정의한 다음, 트렌치 게이트가 형성될 부분을 식각하고 남은 산화막 (3)을 마스크로 하여 N-웰 (5a)을 형성하는 제1공정과;

트렌치 구조 및 트렌치 게이트 형성 시에 마스크로 이용될 측벽막 형성에 필요한 막을 성장하는 제2공정과;

측벽막이 형성될 부분을 정의한 다음 상기 제2공정에서 성장한 막을 식각하여 측벽막을 형성하고, 이를 마스크로 이용하여 N-웰 (5a) 깊이 보다 깊게 P- 에피층 (2a)을 식각하여 트렌치 구조 (8)를 형성하는 제3공정과;

게이트 산화막 (9)을 성장한 후, 불순물이 도핑된 다결정 실리콘 박막을 증착하여 트렌치를 채운 다음, 다결정 실리콘 박막을 이방성으로 식각하여 다결정 실리콘 게이트 전극 (10)을 형성하는 제4공정과;

측벽막을 제거한 다음, 그 자리에 불순물 P+ 를 이온 주입하여 소오스 영역 (11a)을 형성하는 제5공정과;

산화막 (3)(4)을 식각한 후, 필드 산화막 (12)을 성장시키고, 소오스 및 게이트 전극 접촉 부분을 형성한 다음, 금속막을 증착하여 소오스 전극 (13) 및 게이트 전극을 형성한 후 기판 뒷면에 드레인 전극 (14)을 형성하는 제6공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 측벽막을 이용한 트렌치 게이트 전력소자 제조방법

제1항 또는 제2항에 있어서,

트렌치 구조 및 트렌치 게이트 형성시에 마스크로 이용될 측벽막 형성을 휘해 상기 제2공정에서 성장되는 막은 실리콘 질화막 (6)과 산화막 (7)이 순차 증착되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 측벽막을 이용한 트렌치 게이트 전력소자 제조방법

제3항에 있어서,

상기 산화막 (7)은 TEOS 또는 LTO 산화막인 것을 특징으로 하는 측벽막을 이용한 트렌치 게이트 전력소자 제조방법

제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 제2공정에서 성장되는 트렌치 구조 및 트렌치 게이트 형성시에 마스크로 이용될 측벽막은 실리콘 질화막 (6a)인 것을 특징으로 하는 측벽막을 이용한 트렌치 게이트 전력소자 제조방법

제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 제1공정에서 웰 (5)(5a)을 형성할 때 마스크로 사용될 산화막 (3a)을 소정의 각도로 경사지게 식각하는 것을 특징으로 하는 측벽막을 이용한 트렌치 게이트 전력소자 제조방법

제6항에 있어서,

상기 산화막 (3a)의 식각 각도가 45 ~ 85。 인 것을 특징으로 하는 측벽막을 이용한 트렌치 게이트 전력소자 제조방법

제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 제1공정에서 실리콘 기판 (1)(1a) 위에 두께 2 ~ 3 ㎛ 로 얇은 N- 에피층 (2b) 또는 얇은 P- 에피층 (2c)를 성장하고,

상기 제3공정에서 트렌치 구조(8)는 상기 얇은 에피층 (2b)(2c) 보다 깊게 실리콘 기판 (1)(1a)까지 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 트렌치 게이트 전력소자 제조방법