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자동이득제어의 가변이득증폭회로

  • 기술번호 : KST2015098299
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발명은 MOS 트랜지스터의 선형영역을 이용하여 이득을 유사지수함수로 구현하는 가변이득증폭회로에 관한 것으로, 전기신호를 입력받는 고정저항부; 고정저항부와 직렬연결되고 복수 개의 MOS 트랜지스터에 각각 다른 값의 제어전압을 인가하여 병렬로 연결한 가변저항부을 포함하므로, 지수함수의 특성을 가지지 않는 MOS 트랜지스터를 이용하여 구성이 간단해지고 면서도 간단한 구성으로 유사 지수함수를 구현할 수 있는 용이성을 갖는다. 또한, 별도의 지수함수 생성용 회로가 불필요하며 이에 따른 소모전력을 제거할 수 있는 장점을 갖는다.
Int. CL H03G 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010085836 (2001.12.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0462467-0000 (2004.12.09)
공개번호/일자 10-2003-0055758 (2003.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20041217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.12.27)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤용식 대한민국 대전광역시유성구
2 조민형 대한민국 대전광역시서구
3 서혜주 대한민국 대전광역시중구
4 권종기 대한민국 대전광역시서구
5 김경수 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2001-0348327-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2003-0033898-84
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0342742-23
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0401955-12
7 의견서
Written Opinion		 2003.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2003-0401952-86
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0159085-20
9 의견서
Written Opinion		 2004.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0282674-18
10 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0282675-64
11 등록결정서
Decision to grant		 2004.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0507946-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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입력신호가 입력되는 제1단자 및 제2단자로 구성된 쌍신호 단자들에 각각 연결된 복수 개의 고정저항이 직렬로 연결되며, 상기 제1단자에 연결된 고정저항과 상기 제2단자에 연결된 고정저항이 서로 쌍을 형성하는 고정저항부; 및

상기 고정저항부에 쌍으로 형성된 두 고정저항의 각 단자 사이에 가변저항이 연결되며, 하나의 제어전압신호가 인가되어, 상기 각 고정저항으로 흐르는 전류에 의한 고정저항에서의 전압 강하에 따라 형성되는 제어전압이 상기 각 가변저항으로 인가되는 가변저항부를 포함하며,

출력전압은 상기 복수의 가변저항의 양단의 임의의 점에서 얻되, 상기 가변저항부로 인가되는 제어전압신호의 변화에 따라 상기 가변저항이 온 또는 오프되어 가변이득의 변화폭이 넓은 유사지수함수의 이득을 갖는 출력전압을 구현하는 것을 특징으로 하는 가변이득증폭회로

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제 10항에 있어서, 상기 각 고정저항은

포화영역에서 동작하는 MOS 트랜지스터로 형성되는 것을 특징으로 하는 가변이득증폭회로

12 12

제 10항에 있어서, 상기 각 가변저항은

선형영역에서 동작하는 복수 개의 MOS 트랜지스터를 병렬 연결하여 형성되는 것을 특징으로 하는 가변이득증폭회로

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1 US20030137352 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2003137352 US 미국 DOCDBFAMILY
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