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고휘도 전계방출 디스플레이 소자

  • 기술번호 : KST2015098318
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계 방출 소자를 평판 디스플레이 장치에 응용한 전계 방출 디스플레이 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전계 방출 디스플레이 장치는 서로 평행하게 진공 패키징된 상판과 하판을 구비하는 전계 방출 디스플레이 장치에 있어서, 상기 하판은 행열 어드레싱이 가능하게 하는 금속으로 이루어진 행 및 열 신호선과 상기 행열 신호선에 의해 정의되는 픽셀들로 구성되며, 상기 각 픽셀은 막 형의 전계 에미터와 상기 막형의 전계 에미터를 제어하는 컨트롤 소자와 디스플레이의 스캔 및 데이터 신호를 상기 컨트롤 소자에 전달하는 어드레싱 소자로 구성되며, 상기 컨트롤 소자는 상기 막형의 전계 에미터의 전계방출 전류를 직접 조절하는 스위칭 소자와 디스플레이의 데이터 신호를 보지하는 메모리 소자로 구성되며, 상기 상판은, 상기 전계 에미터에 대향하여 상기 전계 에미터로부터 방출되는 전자를 고에너지로 가속시키는 아노드 전극 및 음극 발광하는 형광체로 구성된다.전계 방출 디스플레이, 행열 신호선, 픽셀, 전계 에미터, 컨트롤 소자, 어드레싱 소자
Int. CL C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1019990055883 (1999.12.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2001-0054891 (2001.07.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.08)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤호 대한민국 대전광역시서구
2 정문연 대한민국 서울특별시동대문구
3 강승열 대한민국 대전광역시유성구
4 이진호 대한민국 대전광역시유성구
5 조경익 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 최종식 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))
3 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1999.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1999-0166156-16
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
1999.12.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-0185208-82
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2001.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0188519-10
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2001.09.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0237576-94
6 의견서
Written Opinion
2001.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2001-0237579-20
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2002.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0003025-64
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

서로 평행하게 진공 패키징된 상판과 하판을 구비하는 전계 방출 디스플레이 소자에 있어서,

상기 상판을 이루는 제1 투명기판;

상기 제1 투명기판 상에 형성되어 전자의 방출 및 가속을 유도하는 투명전극;

상기 투명전극 상에 형성된 형광체 패턴;

상기 하판을 이루는 제2 투명기판;

상기 제2 투명기판 상에 서로 직교하게 형성되어 픽셀을 이루는 행 신호선 및 열 신호선;

상기 픽셀 내에 위치하며 상기 형광체 패턴과 마주보는 전계 에미터;

상기 전계 에미터에 연결되며 전계 방출 전류를 제어하는 제어수단; 및

상기 제어수단, 상기 행 신호선 및 열 신호선에 연결되어 디스플레이의 스캔 및 데이터 신호를 상기 제어부에 전달하는 어드레싱 수단

을 포함하는 전계 방출 디스플레이 소자

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 상판과 상기 하판은

그 사이에 지지대로서 역할하는 스페이서를 사이에 두고 진공 패키징 된 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이 소자

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 전계 에미터는,

다이아몬드, 다이아몬드상 카본, 탄소 나노튜브 중 어느 하나의 박막 또는 후막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이 소자

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 제어 수단은,

상기 전계 에미터의 전계 방출 전류를 조절하는 반도체 스위칭 소자; 및

디스플레이의 데이터 신호를 보지하는 메모리 소자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이 소자

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 제어 수단은,

상기 메모리 소자와 연결되는 게이트;

상기 전계 에미터에 연결되는 드레인; 및

접지되는 소스

로 이루어지는 제1 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이 소자

6 6

제 4 항에 있어서,

상기 메모리 소자는,

제1 전극이 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 연결되고, 제1 전극이 접지되는 캐패시터인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이 소자

7 7

제 5 항에 있어서,

상기 어드레싱 수단은,

상기 행 신호선에 연결되는 게이트;

상기 제어 수단에 연결되는 드레인; 및

상기 열 신호선에 연결되는 소스

로 이루어지는 제2 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이 소자

8 8

제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제어 수단은 상기 제1 트랜지스터의 드레인과 상기 전계 에미터 사이에,

저항체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이 소자

9 9

제 8 항에 있어서,

상기 제2 투명기판 상에 각각 형성된 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터의 게이트;

상기 게이트 및 상기 제2 투명기판을 덮는 게이트 절연막;

상기 게이트 절연막을 사이에 두고 각각 형성되어 그 일부가 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터의 게이트와 각각중첩되는 제1 채널 및 제2 채널;

상기 제1 채널 및 상기 제2 채널 상에 각각 분리 형성된 소스 및 드레인;

상기 제1 트랜지스터의 상기 소스 상에 형성된 소스 전극;

상기 제2 트랜지스터의 소스 및 드레인 상에 각각 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;

상기 제1 트랜지스터의 게이트와 상기 제2 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 연결하는 연결전극;

상기 제2 투명 기판 상의 게이트 절연막 상에 형성되어 상기 제1 트랜지스터의 드레인과 연결되는 에미터 전극;

상기 에미터 전극 상에 형성된 저항체; 및

상기 저항체 상에 형성된 전계 에미터

를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이 소자

10 10

제 9 항에 있어서,

상기 제1 트랜지스터의 소스와 게이트는 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩하고,

상기 제1 트랜지스터의 드레인과 상기 게이트는 중첩하지 않는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이 소자

11 11

제 10 항에 있어서,

상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터 영역을 덮으며, 그 내부에 상기 연결전극이 통과하는 층간절연막; 및

상기 층간절연막과 각각 접하는 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터의 채널과 중첩되는 차광수단

을 더 포함하는 전계 방출 디스플레이 소자

12 12

제 8 항에 있어서,

상기 제2 투명기판 상에 형성된 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터 각각의 드레인, 채널 및 소스;

상기 제1 트랜지스터의 채널 및 소스 그리고 상기 제2 트랜지스터의 드레인, 채널 및 소스를 덮는 게이트 절연막;

상기 게이트 절연막 상에 형성되어 상기 제1 트랜지스터의 상기 채널 및 상기 소스와 중첩되는 상기 제1 트랜지스터의 게이트;

상기 게이트 절연막 상에 형성되어 상기 제2 트랜지스터의 상기 채널과 중첩되는 상기 제2 트랜지스터의 게이트;

상기 제1 트랜지스터의 게이트와 상기 제2 트랜지스터의 드레인을 연결하는 연결전극;

상기 제1 트랜지스터의 드레인과 접하는 에미터 전극;

상기 에미터 전극 상에 형성된 저항체; 및

상기 저항체 상에 형성된 전계 에미터

를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이 소자

13 13

제 12 항에 있어서,

상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터 영역을 덮으며, 그 내부에 상기 연결전극이 통과하는 층간절연막

을 더 포함하는 전계 방출 디스플레이 소자

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1 US20020030646 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2002030646 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.