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저잡음 이미지 센서

  • 기술번호 : KST2015098478
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 포토다이오드에서 확산 노드 영역으로의 전하 전송 효율을 증대시킴과 동시에 암전류 발생을 효과적으로 억제할 수 있는 CMOS 이미지 센서에 관한 것이다. 본 발명의 이미지 센서는, 게이트 옥사이드 아래의 일부 또는 전부에 홀 축적을 일으킬 수 있는 구조를 가진 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하는 감광 픽셀; 및 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 턴오프 구간의 일부 또는 전부의 구간 동안, 상기 게이트에 음(-)의 옵셋 전위를 가하는 센싱 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 발명은 트랜스퍼 트랜지스터가 오프 상태일 때는 충분한 배리어를 형성하여 포토다이오드에 전자를 잘 모을 수 있고, 온 상태일 때는 배리어를 충분히 낮추어 트랜스퍼 트랜지스터가 문턱 전압에 도달하기 전에 포토다이오드를 충분히 공핍(fully depleted)하는 효과가 있으며, 더불어, 일정한 영역의 트랩을 일정한 시간 동안 불활성화시킴에 따라, 결과적으로 암전류를 줄일 수 있는 효과가 있다.CMOS, CIS, 이미지 센서, 웰 커패시티, 트랜스퍼 트랜지스터
Int. CL H01L 27/146 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070104652 (2007.10.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0834540-0000 (2008.05.27)
공개번호/일자 10-2007-0110817 (2007.11.20) 문서열기
공고번호/일자 (20080602) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050117419   |   2005.12.05
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자 10-2006-0087439 (2006.09.11)
관련 출원번호 1020060087439
심사청구여부/일자 Y (2007.10.17)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민봉기 대한민국 대전 유성구
2 김미진 대한민국 대전 서구
3 송영주 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2007.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0743601-46
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0668778-61
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0098086-14
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0163732-15
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.03.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0163737-32
6 등록결정서
Decision to grant
2008.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0280210-07
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
포토 다이오드 및 상기 포토 다이오드의 광전하를 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하는 감광 픽셀; 및상기 트랜스퍼 트랜지스터의 턴오프 구간의 일부 또는 전부의 구간 동안, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트에 음(-)의 옵셋 전위를 가하는 센싱 제어부를 포함하고,상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극의 일부 영역이 상기 포토 다이오드를 구성하는 p타입 레이어의 일부 영역과 오버랩되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
2 2
삭제
3 3
제2항에 있어서, 상기 포토다이오드의 p타입 레이어 중 상기 게이트 전극과 오버랩되는 영역은, 상기 포토다이오드의 p타입 레이어 중 오버랩되지 않는 영역을 형성하는 도펀트 물질의 확산 작용에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
4 4
제1항에 있어서, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극의 일부 영역의 하부에, 상기 포토다이오드를 구성하는 p타입 레이어와 연결되는 p타입 도핑부가 위치하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
5 5
제4항에 있어서, 상기 포토다이오드의 p타입 도핑부는, 상기 포토다이오드를 구성하는 p타입 레이어를 형성하는 도펀트 물질의 확산 작용에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
6 6
제1항에 있어서, 상기 센싱 제어부는, 상기 감광 픽셀의 집광 구간 동안 상기 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트에 음(-)의 옵셋 전위를 가하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
7 7
제1항에 있어서, 상기 음의 옵셋 전위는,-0
8 8
제1항에 있어서, 상기 트랜스퍼 트랜지스터는 상기 광전하를 상기 포토 다이오드에서 확산 노드로 운송하며,상기 감광 픽셀은,상기 확산 노드의 전하를 제거하기 위한 리셋 트랜지스터,소스팔로워로서 기능하는 드라이브 트랜지스터, 및다수개의 감광 픽셀들 중 하나를 선택하기 위한 스위치 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01958259 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP21518849 JP 일본 FAMILY
3 KR100834547 KR 대한민국 FAMILY
4 KR100871714 KR 대한민국 FAMILY
5 US20070158710 US 미국 FAMILY
6 WO2007066944 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP1958259 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP1958259 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2009518849 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2009518849 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2009518849 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 KR100834547 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
7 KR100871714 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
8 KR20070058962 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
9 KR20070106599 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
10 US2007158710 US 미국 DOCDBFAMILY
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