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입사광의 보강간섭을 이용한 광 탐침, 그 광 탐침을 포함한광정보 저장장치 및 그 광 탐침의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015098500
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 새부리 효과를 이용한 광 탐침의 광 투과율을 향상시킬 수 있는 미세 패턴의 산란구조에서의 보강간섭을 이용한 광 탐침, 그 광 탐침을 포함한 광정보 저장장치 및 그 광 탐침의 제조방법을 제공한다. 그 광 탐침은 광손실 영역을 줄이기 위해 새부리(bird's beak) 효과를 이용하여 형성된 곡면형태의 개구(aperture) 산화막; 및 개구 산화막 상에 형성된 입사광이 산란될 수 있는 산란구조를 가진 금속 박막;을 포함한다. 본 발명에 의한 광 탐침은 새부리 효과를 이용하여 광손실 영역을 줄인 곡면형태의 개구 산화막을 형성하고 산화막 위에 동심원 형태로 입사광의 산란구조를 형성함으로써, 보강간섭을 통하여 개구의 투과율을 극대화시킬 수 있다.광 정보저장, 개구 탐침(aperture probe), 광 투과율, 근접장, 새부리(Bird's Beak) 효과, 동심원, 산란구조, 보강간섭
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC G01Q 60/22(2013.01) G01Q 60/22(2013.01)
출원번호/일자 1020060027202 (2006.03.25)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0753828-0000 (2007.08.24)
공개번호/일자 10-2007-0059822 (2007.06.12) 문서열기
공고번호/일자 (20070831) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050118950   |   2005.12.07
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.03.25)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박강호 대한민국 대전 유성구
2 김은경 대한민국 대전 유성구
3 이성규 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0210642-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0000706-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0093741-52
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.04.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0258303-02
6 의견서
Written Opinion
2007.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0258302-56
7 등록결정서
Decision to grant
2007.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0400016-93
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광손실 영역을 줄이기 위해 새부리(bird's beak) 효과를 이용하여 형성된 곡면형태의 개구(aperture) 산화막; 및상기 개구 산화막 상에 형성된 입사광이 산란될 수 있는 산란구조를 가진 금속 박막;을 포함하는 입사광의 보강간섭을 이용한 광 탐침
2 2
제1 항에 있어서,상기 광 탐침은 상기 산란구조에 의해 광 투과율이 증가되는 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 입사광의 보강간섭을 이용한 광 탐침
3 3
제1 항에 있어서,상기 산란구조는 입사광과 산란되는 광이 보강간섭을 일으키는 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 입사광의 보강간섭을 이용한 광 탐침
4 4
제1 항에 있어서,상기 산란구조는 상기 금속 박막에 상기 개구를 중심으로 동심원 형태로 형성된 다수의 원형 요철인 것을 특징으로 하는 입사광의 보강간섭을 이용한 광 탐침
5 5
제4 항에 있어서,상기 원형 요철은 상기 개구 산화막 상에 동심원 형태로 형성된 다수의 원형 홈에 금속 박막이 증착되어 형성된 것을 특징으로 하는 입사광의 보강간섭을 이용한 광 탐침
6 6
제4 항에 있어서,상기 원형 요철들은 입사되는 빛의 파장에 따라 입사광과 산란되는 광이 보강간섭을 일으킬 수 있는 간격을 가지고 형성된 것을 특징으로 하는 입사광의 보강간섭을 이용한 광 탐침
7 7
제1 항에 있어서,상기 광 탐침은 전체적으로 캔티레버(cantilever)형 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 입사광의 보강간섭을 이용한 광 탐침
8 8
제1 항에 있어서,상기 개구의 지름은 50 ~ 100 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 입사광의 보강간섭을 이용한 광 탐침
9 9
제1 항에 있어서,상기 개구 산화막은 관통 홀이 형성되어 있는 실리콘 기판 상에 형성되되, 상기 관통 홀 상부로 포물선 형태로 형성되고 상기 포물선 중앙에 개구가 형성된 것을 특징으로 하는 입사광의 보강간섭을 이용한 광 탐침
10 10
제1 항에 있어서,상기 산화막은 실리콘 산화(SiO2)막인 것을 특징으로 하는 입사광의 보강간섭을 이용한 광 탐침
11 11
제1 항의 광 탐침이 실리콘 기판 상에 적어도 2개 형성된 광 탐침 구조
12 12
제11 항에 있어서,상기 적어도 2 개의 광 탐침이 상기 실리콘 기판 상에 일렬로 배열되는 것을 특징으로 하는 광 탐침 구조
13 13
제1 항의 광 탐침 또는 제11 항의 광 탐침 구조를 포함한 광정보 저장장치
14 14
제13 항에 있어서,상기 광정보 저장장치는 상기 광 탐침 또는 광 탐침 구조를 이용하여 광정보를 기록, 재생 또는 기록과 재생을 동시에 할 수 있는 것을 특징으로 하는 광정보 저장장치
15 15
새부리(bird's beak) 효과를 이용하여 광손실 영역을 줄인 곡면형태의 개구(aperture) 산화막을 형성하는 단계; 및상기 개구 산화막 상에 입사광이 산란될 수 있는 산란구조를 가진 금속 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 입사광의 보강간섭을 이용한 광 탐침의 제조방법
16 16
제15 항에 있어서,상기 개구 산화막 형성단계는,실리콘 기판 상에 원형의 마스크막을 형성하는 단계;상기 마스크막을 마스크로 하여 실리콘 기판을 습식 식각하여 초기 탐침 형상을 형성하는 단계;상기 초기 탐침 형상이 형성된 기판 상에 일정 두께의 산화막을 성장시키는 단계;상기 마스크막을 제거하고 상기 산화막 상에 보호막을 형성하는 단계; 및상기 산화막 하부의 초기 탐침 형상 부분의 실리콘 기판을 식각하고 상기 보호막을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 입사광의 보강간섭을 이용한 광 탐침의 제조방법
17 17
제16 항에 있어서,상기 마스크막은 실리콘나이트라이드(Si3N4)로 형성하는 것을 특징으로 하는 입사광의 보강간섭을 이용한 광 탐침의 제조방법
18 18
제16 항에 있어서,상기 성장된 산화막은 상기 원형의 마스크막 하부에서 새부리 효과에 의해 포물선 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 입사광의 보강간섭을 이용한 광 탐침의 제조방법
19 19
제15 항에 있어서,상기 산란구조 형성단계는,상기 개구 산화막 상에 개구를 중심으로 동심원 형태로 다수의 원형 홈을 형성하는 단계; 및 상기 원형 홈이 형성된 개구 산화막 상에 금속 박막을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 입사광의 보강간섭을 이용한 광 탐침의 제조방법
20 20
제19 항에 있어서,상기 원형 홈은 초점 이온 빔(Focused Ion Beam:FIB)을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 입사광의 보강간섭을 이용한 광 탐침의 제조방법
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