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실리콘 베이스와, 상기 실리콘 베이스 상에 형성되는 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성되며 기계적 스트레인 변화에 응답하여 전기 에너지를 발생시키는 압전막과, 상기 압전막 상에 형성되는 상부 전극과, 상기 실리콘 베이스의 하부면 중 일부분에 결합되어 감응 주파수 특성을 조절하는 질량체를 포함하는 압전 구조체; 및일정 크기의 개방된 공동(Cavity)을 포함하고, 상기 공동 내에 상기 질량체가 위치하도록 상기 실리콘 베이스의 하부면 중 일부분에 결합되어 상기 압전 구조체를 부양하는 프레임을 포함하는 압전 마이크로 발전기
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제 1항에 있어서,상기 압전 구조체는상기 실리콘 베이스의 하부면 중 일 측면부만 상기 프레임에 결합되어 외팔보(Cantilever) 형태로 형성되는압전 마이크로 발전기
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제 1항에 있어서,상기 압전 구조체는상기 실리콘 베이스의 하부면 중 양 측면부가 상기 프레임에 결합되어 브릿지(Bridge) 형태로 형성되는압전 마이크로 발전기
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제 1항에 있어서,상기 하부 전극과 상기 상부 전극은 상기 압전막을 사이에 두고 한 쌍의 대향 전극을 형성하는압전 마이크로 발전기
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제 1항에 있어서상기 압전막은 무기 물질, 유기 물질, 나노 물질 및 그 혼합 물질 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는압전 마이크로 발전기
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제 1항에 있어서,상기 질량체는 무기 물질, 유기 물질 및 그 혼합 물질 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는압전 마이크로 발전기
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제 1항에 있어서,상기 프레임은 PCB, 세라믹, 유리, 금속, 플라스틱, 실리콘 및 그 혼합 물질 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는압전 마이크로 발전기
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제 1항에 있어서,일단이 각각 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극에 연결되고, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극에 의해 포집된 전기 에너지를 외부로 전달하기 위한 하부 전극 패드 및 상부 전극 패드를 더 포함하는 압전 마이크로 발전기
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다수의 압전 구조체를 포함하고, 상기 다수의 압전 구조체 각각은 실리콘 베이스와, 상기 실리콘 베이스 상부에 형성되는 하부 전극과, 상기 하부 전극 상부에 형성되며 기계적 스트레인 변화에 응답하여 전기 에너지를 발생시키는 압전막과, 상기 압전막 상부에 형성되는 상부 전극과, 상기 실리콘 베이스의 하부면 중 일부분에 결합되어 감응 주파수 특성을 조절하는 질량체를 포함하는 압전 구조체 어레이; 및일정 크기의 개방된 공동(Cavity)을 포함하고, 상기 공동 내에 상기 다수의 압전 구조체에 결합된 다수의 질량체가 위치하도록 상기 다수의 압전 구조체의 실리콘 베이스의 하부면 중 일부분에 결합되어 상기 압전 구조체 어레이를 부양하는 프레임을 포함하는 압전 마이크로 발전기
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제 9항에 있어서,상기 다수의 압전 구조체는상기 실리콘 베이스의 하부면 중 일 측면부만 상기 프레임에 결합되어 외팔보(Cantilever) 형태로 형성되는압전 마이크로 발전기
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제 9항에 있어서,상기 다수의 압전 구조체는상기 실리콘 베이스의 하부면 중 양 측면부가 상기 프레임에 결합되어 브릿지(Bridge) 형태로 형성되는압전 마이크로 발전기
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실리콘 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 하부 전극, 압전막 및 상부 전극을 형성하는 단계;상기 실리콘 기판의 하부를 연마하여 실리콘 베이스를 형성하는 단계;상기 실리콘 베이스의 하부면에 다이 분리 홈을 형성하여 상기 실리콘 베이스를 구획하는 단계;상기 실리콘 베이스의 하부면 중 일부분에 질량체를 결합하는 단계;상기 질량체가 개방된 공동(Cavity) 내에 위치하도록 상기 실리콘 베이스의 하부면 중 일부분을 상기 공동이 형성된 프레임의 상부면에 결합하는 단계; 및상기 다이 분리 홈을 이용하여 상기 실리콘 베이스를 다이 별로 분리하는 단계를 포함하는 압전 마이크로 발전기의 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 압전막은 스퍼터링(Sputtering), 화학증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD), 전자빔 기화법(e-Beam Evaporation), 펄스 레이저빔 증착법(Pulsed Laser Deposition), 졸겔법(Sol-Gel) 및 프린팅법(Printing) 중 적어도 하나의 방법을 사용하여 형성되는압전 마이크로 발전기의 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 실리콘 베이스의 형성 단계에서 화학기계연마법(Chemical Mechanical Polishing)을 사용하여 상기 실리콘 베이스의 두께를 조절하는압전 마이크로 발전기의 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 질량체는 접합(Bonding) 또는 프린팅(Printing) 공정을 사용하여 상기 실리콘 베이스의 하부면에 결합되는압전 마이크로 발전기의 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 실리콘 베이스의 구획 단계는전체 웨이퍼 레벨에서 상기 실리콘 베이스의 하부 면에 일정한 깊이로 스크라이빙(Scribing), 쏘잉(Sawing) 또는 스텔스 다이싱(Stealth Dicing)을 수행하여 상기 다이 분리 홈을 형성하는 것을 특징으로 하는압전 마이크로 발전기의 제조 방법
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