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실리콘과 안티몬 합금의 조성이 실리콘(Si) 40 내지 55 at% 및 안티몬(Sb) 45 내지 60 at%인 마이크로 볼로미터용 저항재료
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실리콘과 안티몬의 상대비율을 실리콘(Si) 40 내지 55 at% 및 안티몬(Sb) 45 내지 60 at%로 유지하면서, 게르마늄을 24at% 내지 33at%로 조절하여 혼합한 마이크로 볼로미터용 저항재료
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RF 또는 DC 전력이 인가되도록 구성된 2개의 독립된 타켓을 갖는 챔버를 준비하는 단계;
상기 각각의 챔버 내에 제1항에 따른 저항재료를 제조하기 위하여 실리콘과 안티몬을 독립적으로 도입하는 단계; 및
각각의 챔버에 독립적으로 전력을 인가하여 저항재료의 조성을 제어하는 단계를 포함하는 마이크로 볼로미터용 저항재료의 제조방법
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제 3항에 있어서,
실리콘이 도입된 챔버에 인가되는 전력은 200W 내지 300W이고, 안티몬이 도입된 챔버에 인가되는 전력은 50W 내지 125W인 마이크로 볼로미터용 저항재료의 제조방법
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RF 또는 DC 전력이 인가되도록 구성된 3개의 독립된 타켓을 갖는 챔버를 준비하는 단계;
상기 각각의 챔버 내에 제2항에 따른 저항재료를 제조하기 위하여 실리콘, 안티몬 및 게르마늄을 독립적으로 도입하는 단계; 및
각각의 챔버에 독립적으로 전력을 인가하여 합금의 조성을 제어하는 단계를 포함하는 마이크로 볼로미터용 저항재료의 제조방법
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제 5항에 있어서,
실리콘이 도입된 챔버에 인가되는 전력은 200W 내지 300W이고, 안티몬이 도입된 챔버에 인가되는 전력은 15W 내지 75W이고, 게르마늄이 도입된 챔버에 인가되는 전력은 50 내지 200W인 마이크로 볼로미터용 저항재료의 제조방법
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제 3항 내지 제6항중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 챔버내의 압력은 2mTorr 내지 5mTorr이고, 시료의 온도는 200 내지 400℃인 마이크로 볼로미터용 저항재료의 제조방법
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제 1항에 따른 저항재료를 저항체로 사용한 마이크로 볼로미터
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제 2항에 따른 저항재료를 저항체로 사용한 마이크로 볼로미터
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