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폴리이미드를 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015098589
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초박막 화합물 반도체로 이루어지는 이종접합 바이폴라 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 에미터와 베이스 전극을 새로운 방법으로 자기정렬시켜 소자의 고속특성을 개선하기 위한 것이다. 종래에는 에미터와 베이스 전극간의 자기정렬을 위해 에미터 메사식각에 의해 역경사형태를 만들어 베이스 전극의 증착시 베이스 전극의 단락을 유도하거나, 또는 플라즈마 식각 방법으로써 에미터 주변에 유전체 측벽막을 형성하여 베이스 전극의 에미터에 대한 분리를 하여 자기 정렬하는 방법을 통상적으로 사용하였다. 이러한 방법들은 각기 에미터-베이스간 누설전류를 발생시키기거나 또는 매우 복자반 공정절차를 거치는 등의 단점이 있다. 본 발명에서는 에미터층에 먼저 폴리이미드 박막을 도포하고, 그위에 폴리이미드를 정의하기 위한 금속층을 증착하여 폴리이미드를 2단계 식각에 의해 상부가 돌출된 임시 에미터 전극을 구성한 뒤, 베이스 전극을 증착하면 임시 에미터 전극 주변에서 단락이 발생하고 이후 폴리이미드를 선택적으로 제거함으로써 에미터에 자기정렬된 베이스 전극의 형성이 가능하게 된다. 또한 실제 에미터 전극 유전체절연막의 금속접촉창을 통해 표면이 넓은 구조로 형성할 수 있기 때문에 에미터 저항감소의 효과를 얻을 수도 있다. 따라서 본 발명을 활용할 경우 고속특성이 크게 향상된 이종접합 바이폴라 소자의 제작이 가능하게 된다.
Int. CL H01L 21/328 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1019960046203 (1996.10.16)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0198425-0000 (1999.03.02)
공개번호/일자 10-1998-0027420 (1998.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.10.16)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성호 대한민국 대전광역시 유성구
2 이태우 대한민국 대전광역시 서구
3 박문평 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.10.16 수리 (Accepted) 1-1-1996-0159828-11
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.10.16 수리 (Accepted) 1-1-1996-0159829-56
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.10.16 수리 (Accepted) 1-1-1996-0159830-03
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0159831-48
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.26 수리 (Accepted) 1-1-1996-0159832-94
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0458272-09
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1999.03.10 수리 (Accepted) 1-1-1999-5105573-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반절연성 화합물 반도체 기판 위에 완충층, 컬렉터층, 부컬렉터층, 베이스층, 에미터층, 에미터 캡층이 성장된 이종접합 구조의 에피 웨이퍼를 사용하여 1차 및 2차의 임시 에미터 전극재료를 순차적으로 증착시키는 제1과정과; 상기 2차 임시 에미터 전극을 마스크로하여 1차 에미터 전극층을 정의하는 중에 에미터 캡층이 노출되도록 식각할 뿐만 아니라 추가적인 과식각을 하여 2차 임시 에미터 전극층 아래로 측방향 침식이 발생하도록 유도하는 제2과정과; 상기 1차 및 2차 임시 에미터 전극층을 마스크로하여 베이스 표면까지 메사식각을 하고 베이스 전극을 증착시키는 제3과정과; 에미터에 대한 베이스의 자기정렬을 형성하기 위해 임시 에미터 전극을 제거하는 제4과정과; 컬렉터 전극형성과 소자 분리후 표면보호막을 도포한 후 에미터상에 선택적으로 에미터 전극을 형성하는 제5과정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 폴리이미드를 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 1차 임시 에미터 전극층은 폴리이미드 필름을 사용하고, 그 위에 폴리이미드를 임시 에미터 전극으로서 정의할 수 있도록 금속 마스크층을 2차 임시 에미터 전극으로서 사용한 것을 특징으로 하는 폴리이미드를 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 2차 임시 에미터 전극층을 마스크로하여 1차 에미터 전극층을 정의할 때는 1단계로 반응성 이온식각 방법을 사용하여 에미터 캡층을 노출시키면서 2차 임시 에미터 전극과 외형이 일치하며 수직하도록 1차 임시 에미터 전극의 형상을 유도하고, 2단계로 1차 임시 에미터 전극의 측면 식각이 발생되면서 노출되는 기판 표면에 대한 물리적 손상이 적도록 등방성의 플라즈마 식각방법을 이용하여 임시 에미터 전극의 상단부가 돌출되도록 하여 이후 베이스 전극의 증착시 임시 에미터 전극 부분에서 용이하게 절단되도록 한 것을 특징으로 하는 폴리이미드를 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

4 4

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 1차 임시 에미터 전극인 폴리이미드 필름을 전용 제거제를 사용하여 선택적으로 그 위의 불필요한 2차 임시 에미터 전극 및 베이스 전극을 없앰으로써 에미터에 대한 베이스 전극의 자기정렬을 가능하게 하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드를 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 에미터에 대한 베이스 전극의 자기정렬이 완성된 후 컬렉터 전극형성과 소자분리 과정을 거쳐 웨이퍼 전면에 유전체 절연막을 도포하고, 에미터 상에 에미터 전극을 형성하여 에미터에 최대한 가까이 베이스 전극을 자기정렬함과 동시에 전극간의 합선 위험없이 에미터 표면적을 넓혀 에미터 저항을 감소시키는 것을 특징으로 하는 폴리이미드를 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.