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실리콘 미소 구조체 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015098590
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 큰 종횡비와 작은 저항 및 변형이 없는 실리콘 구조체를 표면 미세 가공 기술로 제작할 수 없었던 종래 기술의 문제점을 가운데의 두꺼운 실리콘층과 농도 조절을 위한 상하의 얇은 실리콘층으로 실리콘 다층 구조를 형성하여 박막의 상하 방향으로 불순물을 대칭으로 분포시켜 응력 구배를 제거하고, 가운데의 실리콘 박막에 잔류 응력이 존재하는 경우 상하에 주입되는 불순물의 양을 조절함으로써 기존의 응력 구배를 상쇄시켜 미소 구조체의 휨 변형을 최소화시킬 수 있는 실리콘 미소 구조체 제조 방법이 개시된다.
Int. CL H01L 29/84 (2006.01)
CPC H01L 41/1136(2013.01) H01L 41/1136(2013.01) H01L 41/1136(2013.01)
출원번호/일자 1019960043787 (1996.10.04)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0227787-0000 (1999.08.05)
공개번호/일자 10-1998-0025599 (1998.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (19991101) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.10.04)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이창승 대한민국 대전광역시 유성구
2 이종현 대한민국 대전광역시 유성구
3 정회환 대한민국 대전광역시 서구
4 노광수 대한민국 대전광역시 유성구
5 유형준 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1996.10.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0152108-48
2 출원심사청구서
Request for Examination
1996.10.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0152109-94
3 특허출원서
Patent Application
1996.10.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0152107-03
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0152110-30
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1998.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0455300-75
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1999.02.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5065956-62
7 의견서
Written Opinion
1999.02.18 수리 (Accepted) 1-1-1999-5065955-16
8 등록사정서
Decision to grant
1999.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0171549-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055003-22
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

실리콘 웨이퍼 상부에 TEOS 산화막을 형성한 후 상기 TEOS 산화막의 선택된 영역을 식각하여 홀을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 제1실리콘막을 형성하고 불순물을 주입하는 단계와, 상기 제1실리콘막 상부에 제2실리콘막을 형성하고 불순물을 주입하는 단계와, 상기 제2실리콘막 상부에 제3실리콘막을 형성하고 불순물을 주입하는 단계와, 상기 제3, 제2 및 제1실리콘막의 선택된 영역을 순차적으로 식각으로 상기 TEOS 산화막의 상부가 노출되도록 구조체 형상을 형성하는 단계와, 상기 TEOS 산화막을 제거하여 실리콘 미소 구조물을 기판으로부터 분리시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 미소 구조체 제조 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3실리콘막은 불순물의 분포 조절을 위하여 상하 대칭되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 미소 구조체 제조 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 제1 및 제3실리콘막의 불순물 주입량을 조절하여 제2실리콘막을 응력구배를 상쇄시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 미소 구조체 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.