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무수불화수소및메탄올을이용한건식식각에의한산화막제거방법

  • 기술번호 : KST2015098592
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야반도체 장치의 미소 구조체 형성 방법2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제자이로 스코프 등의 산화막 식각시, 불화수소의 분압을 높여 식각율을 향상시키고, 온도와 압력에 따른 물의 열 역학적 성질을 이용하여 시편 위의 물이 완전히 제거되는 방법을 제시하는 것을 제공하고, 결과적으로 개성된 마이크로 자이로 스코프와 같은 반도체 장치의 형성 방법을 제공하고자 함을 그 목적으로 한다.3. 발명의 해결방법의 요지산화막을 구비하는 반도체 장치에 있어서 , 메탄올과 상기 메탄올 보다 상대적으로 많은 무수 불화수소를 이용한 건식식각 방법으로 상기 산화막을 식각하되, 웨이퍼의 온도를 15-70℃로 유지하여 상기 산화막을 식각한다.4. 발명의 중요한 용도반도체 장치 제조 공정에 이용됨.[색인어]미소 구조체, 희생층, 건식식각, 무수 불화수소, 메탄올
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01L 21/0206(2013.01) H01L 21/0206(2013.01) H01L 21/0206(2013.01)
출원번호/일자 1019970049432 (1997.09.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0265860-0000 (2000.06.17)
공개번호/일자 10-1999-0027060 (1999.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20001002) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.27)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이용일 대한민국 대전광역시 유성구
2 최창억 대한민국 대전광역시 유성구
3 이종현 대한민국 대전광역시 유성구
4 장원익 대한민국 대전광역시 유성구
5 백종태 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.09.27 수리 (Accepted) 1-1-1997-0156861-27
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.27 수리 (Accepted) 1-1-1997-0156862-73
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.27 수리 (Accepted) 1-1-1997-0156863-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0383170-71
5 의견서
Written Opinion		 2000.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2000-5053110-76
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.02.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5053111-11
7 등록사정서
Decision to grant		 2000.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0137458-04
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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무수 불화수소 및 메탄올을 이용하여 구조체 밑에 있는 산화막을 제거하는 방법에 있어서, 상기 구조체 및 상기 산화막이 형성되어 있는 웨이퍼의 온도를 15℃ 내지 70℃로 유지하고, 상기 무수 불화수소의 양이 상기 메탄올의 양 보다 상대적으로 많은 조건에서 상기 산화막을 건식식각하여 제거하는 산화막 제거 방법

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제1항에 있어서, 상기 산화막 건식식각은, 0

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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산화막은 PSG, BPSG, TEOS 또는 열산화막인 것을 특징으로 하는 산화막 제거 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.