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이종접합바이폴라트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015098601
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고온 및 고전압 상태에서 우수한 성능을 유지하면서 동작할 수 있는 이종접합 바이폴라 트랜지스터가 개시된다.본 발명은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체들의 에피성장 기술을 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)에 있어서, 상기 트랜지스터의 에미터층은 고온 및 고전압하에서 HBT의 성능을 저하시키는 베이스로부터 에미터로의 정공 역주입을 극소화시키기 위하여 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체중 가장 큰 에너지 대역을 갖는 AlyGa1-yInxP1-x로 구성되고, 상기 HBT의 콜렉터층은 베이스-콜렉터간의 항복 파괴전압을 개선할 수 있도록 GaxIn1-xP로 이루어진 AlGaInP/GaAs/GaInP 적층구조로 구성된다.
Int. CL H01L 29/737 (2006.01)
CPC H01L 29/737(2013.01) H01L 29/737(2013.01)
출원번호/일자 1019950040290 (1995.11.08)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0163743-0000 (1998.09.08)
공개번호/일자 10-1997-0030884 (1997.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (19981201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.11.08)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 대전광역시서구
2 박문평 대한민국 대전광역시유성구
3 송기문 대한민국 서울특별시시초구
4 박성호 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.11.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160117-57
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.11.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160118-03
3 특허출원서
Patent Application		 1995.11.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160116-12
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160119-48
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160120-95
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.04.06 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160121-30
7 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0084787-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체들의 에피성장 기술을 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)에 있어서, 상기 트랜지스터의 에미터층은 고온 및 고전압하에서 HBT의 성능을 저하시키는 베이스로부터 에미터로의 정공 역주입을 극소화시키기 위하여 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체중 가장 큰 에너지 대역을 갖는 AlyGa1-yInxP1-x로 구성되고, 상기 HBT의 콜렉터층은 베이스-콜렉터간의 항복 파괴전압을 개선할 수 있도록 GaxIn1-xP로 이루어진 AlGaInP/GaAs/GaInP 적층구조를 갖는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터

2 2

제1항에 있어서, 상기 에미터층과 상기 베이스층과의 격자정합 및 전도대 스파이크를 최소화할 수 있도록 AlyGa1-yInxP1-x 에미터층의 알루미늄의 성분비 y가 0

3 3

제2항에 있어서, 상기 에미터층은 알루미늄 성분비 y가 15%인 Al0

4 4

제1항에 있어서, 상기 콜렉터층은 GaAs 베이스층과의 격자정합(lattice match)을 위하여 조성비 x=0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.