| 1 |
1
(100) 방향을 갖는 기판과, 상기 기판 상부의 선택된 영역에 형성된 콜렉터층과, 상기 콜렉터층 상부의 선택된 영역에 형성된 콜렉터 장벽층과, 상기 콜렉터 장벽층 상부에 형성된 베이스층과, 상기 베이스층 상부의 선택된 영역에 형성된 완충층과, 상기 완충층 상부에 형성된 에미터 장벽층과, 상기 에미터 장벽층 상부에 형성된 에미터층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 핫 전자 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 기판은 반절연 인듐인(InP)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 핫 전자 장치
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 콜렉터층은 도우프된 인듐갈륨비소(InGaAs) 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 핫 전자 장치
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 콜렉터 장벽층은 도우프되지 않은 인듐갈륨알루미늄비소(InGaxAlyAs) 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 핫 전자 장치
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 베이스층은 도우프된 인듐갈륨비소(InxGa1-xAs) 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 핫 전자 장치
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 완충층은 도우프되지 않은 인듐갈륨비소(InGaAs) 및 인듐알루미늄비소(InAlAs) 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 핫 전자 장치
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 에미터 장벽층은 도우프되지 않은 인듐알루미늄비소(InAlAs) 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 핫 전자 장치
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 에미터층은 도우프된 인듐갈륨비소(InGaAs) 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 핫 전자 장치
|
| 9 |
9
제5항에 있어서, 상기 베이스층은 콜렉터 장벽층과 격자 정합을 이루는 조성부터 시작하여 베이스층 중간까지 베이스층의 도전 밴드가 최소치에 도달하도록 조성을 점차 변화시킨 후 다시 에미터 장벽층까지 격자 정합 조성으로 변하도록 조성을 점차 변화시키는 것을 특징으로 하는 핫 전자 장치
|
| 10 |
10
(100) 방향을 갖는 기판과, 상기 기판 상부의 선택된 영역에 형성된 콜렉터층과, 상기 콜렉터층 상부의 선택된 영역에 형성된 콜렉터 장벽층과, 상기 콜렉터 장벽층 상부에 형성된 베이스층과, 상기 베이스층 상부의 선택된 영역에 형성된 완충층과, 상기 완충층 상부에 형성된 에미터 장벽층과, 상기 에미터 장벽층 상부에 형성된 양자 우물층과, 상기 양자 우물층 상부에 형성된 장벽층과, 상기 장벽층 상부에 형성된 에미터층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫 전자 장치
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 기판은 반절연 인듐인(InP)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫 전자 장치
|
| 12 |
12
제10항에 있어서, 상기 콜렉터층은 도우프된 인듐갈륨비소(InGaAs) 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫 전자 장치
|
| 13 |
13
제10항에 있어서, 상기 콜렉터 장벽층은 도우프되지 않은 인듐갈륨알루미늄비소(InGaxAlyAs) 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫 전자 장치
|
| 14 |
14
제10항에 있어서, 상기 베이스층은 도우프된 인듐갈륨비소(InxGa1-xAs) 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫 전자 장치
|
| 15 |
15
제10항에 있어서, 상기 완충층은 도우프되지 않은 인듐갈륨비소(InGaAs) 및 인듐알루미늄비소(InAlAs) 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫 전자 장치
|
| 16 |
16
제10항에 있어서, 상기 에미터 장벽층은 도우프되지 않은 인듐알루미늄비소(InAlAs) 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫 전자 장치
|
| 17 |
17
제10항에 있어서, 상기 에미터 장벽층은 도우프되지 않은 인듐알루미늄비소(InAlAs) 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫 전자 장치
|
| 18 |
18
제10항에 있어서, 상기 양자 우물층은 도우프되지 않은 인듐갈륨비소(InGaAs) 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫 전자 장치
|
| 19 |
19
제10항에 있어서, 상기 장벽층은 도우프되지 않은 인듐알루미늄비소(InAlAs) 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫 전자 장치
|
| 20 |
20
제10항에 있어서, 상기 에미터층은 도우프된 인듐갈륨비소(InGaAs) 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫 전자 장치
|
| 21 |
21
제14항에 있어서, 상기 베이스층은 콜렉터 장벽층과 격자 정합을 이루는 조성부터 시작하여 베이스층 중간까지 베이스층의 도전 밴드가 최소치에 도달하도록 조성을 점차 변화시킨 후 다시 에미터 장벽층까지 격자 정합 조성으로 변하도록 조성을 점차 변화시키는 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫 전자 장치
|
| 22 |
22
제10항에 있어서, 상기 에미터 장벽층, 양자 우물층 및 장벽층은 에미터 전자 투사층을 형성하는 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫 전자 장치
|
| 23 |
23
제10항에 있어서, 상기 에미터 장벽층, 장벽층 및 완충층은 넓이를 조정함으로써 페르미 에너지와 정렬된 양자 속박 준위를 통해 공진 터널링이 일어나도록 하는 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫 전자 장치
|
