SOI(silicon on insulator)기판을 이용한 반도체 장치의 제조방법에 있어서; n-형의 규소층(12)이 절연층(11) 위에 형성된 SOI 기판에 소자격리를 위한 제1절연막(13)을 형성하고, 화학증착법(CVD)에 의해 질화막(14)과 산화막(15)을 각각 순차적으로 형성하는 공정과; 리소그라피에 의해 베이스 영역(22)을 정의하고, 반응성 이온 식각에 의해 상기 산화막(15)과 상기 질화막(14)을 순차적으로 식각하여 상기 n-형의 규소층(12)의 표면을 노출시키는 공정과; 웨이퍼의 전 표면 위에 제2절연막을 형성하고 비등방성식각을 수행하여 측벽 절연막(16)을 형성한 후, 상기 규소층(12)의 노출된 표면으로 p형불순물을 주입하여(17) 베이스층(18)을 형성하는 공정과 ; 상기 베이스층(18) 위에만 선택적으로 도전층(19)을 형성하고, 남아 있는 상기 산화막(15)을 제거하는 공정과 ; 열산화에 의해 상기 도전층(19)위에 제3절연막(110)을 성장시키고, 리소그라피방법으로 애미터와 서브-콜렉터로 사용될 n++형의 영역(23,113)을 정의하여 감광막 패턴(111)을 형성하고, 상기 감광막 패턴(111)을 마스크로서 사용하여 상기 질화막(14)을 통해 상기 규소층(12)으로 불순물 이온(112)을 주입하는 공정과 ; 감광막 패턴(111)을 제거하고, 웨이퍼의 전 표면 위에 제4절연막(116)을 형성한 후, 열처리에 의해 주입된 불순물들을 활성화시켜 접합(119)을 형성하는 공정과 ; 리소그라피에 의해 접촉영역(24)을 정의하여 감광막 패턴(120)을 형성하고, 상기 감광막 패턴(120)을 마스크로서 사용하여 상기 제4절연막(116)과 상기 질화막(14)을 순차적으로 식각한 후 상기 감광막 패턴(120)을 제거하는 공정 과; 웨이퍼의 전 표면 위에 타이타늄(titanium)을 도포하고 열처리하여 타이타늄 규화물(121)을 생성하고, 상기 산화막(116) 위에 남아 있는 상기 타이타늄을 완전히 제거하는 공정과; 웨이퍼의 표면 위에 금속층을 형성한 후 리소그라피 방법으로 금속전극패턴을 정의하여 감광막 패턴을 형성하고, 감광막 패턴을 마스크로서 사용하여 상기 금속층을 식각하는 것에 의해 금속전극(122)을 각각 형성하고 열처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 측면 쌍극자 트랜지스터 장치의 제조방법

(정정) 제1항에 있어서, 상기 도전층(19)은 규소층으로 이루어지며, 이것은 선택적 성장에 의해 형성되며, 상기 베이스층(18) 위에 형성될 때 즉석(in-situ)도핑에 의해 p++형이 불순물이 주입되는 것을 특징으로 하는 측면 쌍극자 트랜지스터 장치의 제조 방법

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 베이스층(18)은 상기 측벽절연막(16)에 의해 정의되는 상기 베이스 영역(22)의 폭보다 더 좁은 폭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 측면 쌍극자 트랜지스터의 제조 방법