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공진 터널링 전자장치

  • 기술번호 : KST2015098641
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고속 전자 장치 또는 논리 스위칭 장치에 사용되는 반도체 이질접합 양자우물구조에 관한 것으로 특히, 도전형의 에미터층과 콜렉터 층들 사이에 배치되어 있는 전위 장벽층으로 구성되어 있는 터널링 고속 반도체 장치에 있어서, 상기 전위 장벽층을 수성하는 양자 우물층들의 넓이가 점차 감소하는 경우 양자 장벽층의 높이가 점차 증가하는 방법으로 양자 우물층과 장벽층들의 비대칭 적으로 교대로 조합 적용되어 Stark shift에 의한 반도체 이질접합 구조의 양자속박 준위들의 정렬(alignment)을 이용한 공진터널링의 증가 효과에 의한 픽전류 감소 방지 효과와 유효(effective barrier)높이의 증가 효과로 인한 밸리 전류 감소로 인한 PVR의 증가가 유도되는 것을 특징으로 하는 공진 터널링 전자장치에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/772 (2006.01) H01L 29/737 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019950053647 (1995.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0170473-0000 (1998.10.15)
공개번호/일자 10-1997-0054429 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (19990201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경옥 대한민국 대전광역시 유성구
2 노동완 대한민국 대전광역시 서구
3 백승원 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207316-72
2 특허출원서
Patent Application		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207314-81
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207315-26
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207317-17
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207318-63
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0109486-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

도전층의 에미터층과 콜렉터 층들 사이에 배치되어 있는 전위 장벽층으로 구성되어 있는 터널링 고속 반도체 장치에 있어서, 상기 전위 장벽층을 수성하는 양자 우물층들의 넓이가 점차 감소하는 경우 양자 장벽층의 높이가 점차 증가하는 방법으로 양자 우물층과 장벽층들이 비대칭 적으로 교대로 조합 적용한 것을 특징으로 하는 공진 터널링 전자장치

2 2

제1항에 있어서, 전위변화 완충층이 도입된 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 공진 터널링 전자장치

3 3

도전형의 에미터층과 콜렉터 층들 사이에 배치되어 있는 전위 장벽층으로 구성되어 있는 터널링 고속 반도체 장치에 있어서, 상기 전위 장벽층을 수성하는 양자 우물층들의 넓이가 점차 감소하는 경우 양자 장벽층의 높이가 점차 증가하는 방법으로 양자 우물층과 장벽층들이 비대칭 적으로 교대로 조합 적용되어 Stark shift에 의한 반도체 이질접한 구조의 양자 속박 준위들의 정렬(alignment)를 이용한 공진터널링의 증가 효과에 의한 픽전류 감소 방지 효과와 유효(effective barrier)높이의 증가 효과로 인한 밸리전류 감소로 인한 PVR의 증가가 유도되는 것을 특징으로 하는 공진 터널링 전자장치

4 4

제3항에 있어서, 전위변화 완충층이 도입된 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 공진 터널링 전자장치

5 5

도전형의 에미터층과 콜렉터 층들 사이에 배치되어 있는 전위 장벽층으로 구성되어 있는 공진 터널링 고속 반도체 장치에 있어서, 전위 장벽층이 복수의 양자우물 층들과 양자 장벽 층들로 이루어진 구조에서, 전자의 양자 우물층들의 넓이와 양자 장벽층의 높이가 비대칭적 조합(aymmetric combination)구조로 이루어지고, 이로 인해 Stark shift에 의한 양자속박 준위들의 정렬을 통한 공진터널링을 이용하는 것을 특징으로 하는 공진 터널링 전자장치

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1 JP09181295 JP 일본 FAMILY
2 US05770866 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP9181295 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH09181295 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US5770866 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.