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제 1 도전형의 반도체 기판(21)상에 절연막을 도포한 후, 이를 사진식각법으로 패터닝하여 상기 반도기판의 소정부분이 노출되도록 복수개의 개구(10,20)를 형성하는 공정과, 상기 개구를 통하여 제 2 도전형의 불순물을 이온주입한 후, 기판을 열처리하여 상기 개구를 통하여 노출된 반도체 기판에 매몰층(23)을 형성하는 공정과, 상기 개구(10,20)를 통하여 노출된 반도체기판(21)상에 에피택셜성 장법으로 컬렉터박막(24)을 형성하는 공정과, 상기 일측 개구(20)내의 컬렉터박막(24)의 표면을 감광막패턴(26)으로 마스킹한 후, 제 2 도전형의 불순물이온을 타측 개구(10)내의 컬렉터박막(24)에 주입하고 열처리하여 새로운 매몰층(25)을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴(26)을 제거하고 개구(10,20)를 통하여 노출된 매몰층(25)과 컬렉터박막(24)의 표면상에 컬렉터박막(27)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 컬렉터박막(27)을 형성한 후, 컬렉터박막(27)과 산화막(22)의 상표면이 평탄화되도록 하는 평탄화 공정을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 형성방법
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제2항에 있어서, 상기 평탄화 공정은 기계-화학적 연마방법에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 형성방법
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제2항에 있어서, 상기 평탄화 공정은 컬렉터박막(27)의 상측 표면을 열산화한 후, 산화된 산화막을 제거하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 형성방법
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제1도전형의 반도체 기판(31)상에 산화막(32)과 질화막(33) 절 연막을 차례로 형성한 후, 상기 질화막(33)과 산화막(32)을 사진식각법으로 패티닝하여 상기 반도기판의 소정부분이 노출되도록 복수의 개구(10,20)를 형성하는 공정과, 상기 개구를 통하여 제 2 도전형의 불순물을 이온주입한 후, 기판을 열처리하여 상기 개구를 통하여 노출된 반도체 기판에 매몰층(34)을 형성하는 공정과, 상기 개구(10,20)를 통하여 노출된 반도페기판(31)상에 에피택셜 성장법으로 컬렉터박막(35)을 형성하는 공정과, 상기 일측 개구(20)내의 컬렉터박막(35)의 표면을 감광막패턴(37)을 마스킹한 후, 제 2 도전형의 불순물이온을 타측 개구(10)내의 컬렉터박막(24)에 주입하고 열처리하여 새로운 매몰층(36)을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴(37)을 제거하고 개구(10,20)를 통하여 노출된 매몰층(36)과 컬렉터박막(35)의 표면상에 컬렉터박막(38)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 형성방법
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제5항에 있어서, 상기 컬렉터박막(38)을 형성한 후, 컬렉터박막(38)과 산화막(32)의 상표면이 평탄화 되도록 하는 평탄화 공정을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 형성방법
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제6항에 있어서, 상기 평탄화 공정은 기계-화학적 연마방법에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 형성방법
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제6항에 있어서, 상기 평탄화 공정은 컬렉터박막(38)의 상측 표면을 열산화한 후, 산화된 산화막을 제거하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 절연막(22)이 산화막인 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 형성방법
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제9항에 있어서, 상기 산화막의 두께가 1㎛ - 20㎛인 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 형성방법
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