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고출력 반도체 레이저 구조 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015098654
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고출력에서도 고차 모드의 발진을 억제하여 기본 모드로 동작하므로서 안정된 광 출력을 내는 고출력 반도체 레이저에 관한 것이다. 고출력화는 반도체 레이저 자체의 고출력화와 모듈로 제작 시 반도체 레이저와 부착 광섬유 사이의 광결합 효율을 높이는 문제로 나누어 생각할 수 있다. 현재 반도체 레이저의 고출력화와 일반 반도체 레이저와 광섬유 사이의 광결합의 고 효율화는 크게 진전되어 있으나 양자를 결합하여 반도체 레이저 모듈을 제작할 때에는 반도체 레이저로부터 방사되는 광출력형태(방사 패턴)가 반도체 레이저의 동작조건에 따라 변함으로써 결과적으로 반도체 레이저 모듈의 성능을 나쁘게 하고 있다. 이와같은 광출력 형태는 기본모드가 아닌 고차모드로 동작시 광결합 효율은 나빠지게 되므로 고출력 반도체 레이저에 있어서 고차모드의 발생 억제가 필수적이다. 따라서 본 발명은 고출력 동작시 고차모드의 발생을 억제하기 위하여 RWG 반도체 레이저의 Channel 부분에 Zn, Be, Si 등의 원소를 확산 또는 Implant 공정을 통하여 channel 부분과 Ridge 부분의 경계부를 일부 혼정화 시키므로서 급준한 유효굴절율 변화를 완화시켜 고출력 동작 시에도 고차모드 동작을 억제시켜 고출력에서도 광결합 효율이 좋은 기본모드로 동작하게 하는 구조의 제작에 있다.
Int. CL H01S 3/0947 (2006.01)
CPC H01S 5/222(2013.01) H01S 5/222(2013.01)
출원번호/일자 1019960061998 (1996.12.05)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0226431-0000 (1999.07.27)
공개번호/일자 10-1998-0044007 (1998.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (19991015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.05)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장동훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 박경현 대한민국 대전광역시 유성구
3 이중기 대한민국 대전광역시 유성구
4 조호성 대한민국 부산광역시 동래구
5 박철순 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.12.05 수리 (Accepted) 1-1-1996-0207230-89
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.05 수리 (Accepted) 1-1-1996-0207232-70
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.05 수리 (Accepted) 1-1-1996-0207231-24
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0207233-15
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0207234-61
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1999.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1999-5109345-07
8 등록사정서
Decision to grant		 1999.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0168828-72
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판 위에 순차로 형성된 제 1 도전형 완충층, 제 1 도전형 클래드층, 제 1 완충층, 활성층, 제 2 완충층, 제 2 도전형 클래드층, 제 2 도전형 클래드층, 제 2 도전형 완충층 및 음접촉층이 식각되어 반도체 길이방향으로 균일한 폭의 리지부분과 채널부분을 구비하고, 이 위에 절연막, 그 위에 제 2 도전층 및 연마된 기판 밑면에 제 1 도전층이 형성된 고출력 반도체 레이저 구조에 있어서, 고출력 동작시 고차모드의 발생을 억제하고 기본모드로 동작시켜 상기 리지부분과 채널부분의 횡방향으로의 유효굴절율 차이를 줄이기 위해, 상기 채널부분 및 채널부분과 리지부분의 경계까지 이온 주입 또는 확산에 의해 부분적인 흔정화 부분을 구비한 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저 구조

2 2

제1항에 있어서, 상기 흔정화 부분은 상기 리지 가장자리 및 채널부분의 경계 부분과 상기 채널부분의 제 1 도전형 클래드층, 제 1 완충층, 활성층 및 일부의 제 2 완충층까지 이온 주입된 부분인 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저 구조

3 3

기판 위에 제 1 도전형 완충층, 제 1 도전형 클래드층, 제 1 완충층, 활성층, 제 2 완충층, 제 2 도전형 클래드층, 제 2 도전형 완충층 및 음 접촉층 및 절연막을 순차로 형성하여 결정성장을 수행하는 제 1 공정과 ; 상기 제 1 공정의 결과물을 식각하여 반도체 길이 방향으로 균일한 폭의 리지부분과 채널부분을 형성한 후 절연막을 제거하는 제 2 공정과 ; 횡방항으로의 급준한 유효굴절율 변화를 완화시키기 위해 상기 채널부분 및 채널부분과 리지부분 경계까지 이온 주입 후 열처리를 통해 흔정화시키는 제 3 공정과 ; 이위에 다시 절연막을 형성한 후 그 위에 제 2 도전층 및 상기 기판을 연마하여 그 밑면에 제 1 도전층을 형성하는 제 4 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저 제조 방법

4 4

제3항에 있어서, 상기이온을 Zn, Si, Be 를 복합적으로 사용한 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저 제조 방법

5 5

제3항에 있어서, 상기 이온을 Zn, Si, Be를 복합적으로 사용한 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저 제조 방법

6 6

제3항에 있어서, 상기 제 1 공정중 채널부분을 미리 흔정화시킨 후 결정성장을 하는 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저 제조 방법

7 7

제3항에 있어서, 상기 제 1 공정중 채널부분을 미리 흔정화시킨 후 선택적 결정성장을 하는 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저 제조 방법

8 8

제3항에 있어서, 고출력 반도체 레이저의 횡방향으로 완화된 굴절율 분포를 위하여 채널부분을 부분적으로 굴절율을 변화시키는 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.