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트랜지스터제조방법

  • 기술번호 : KST2015098665
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 29/70 (2006.01)
CPC H01L 29/66234(2013.01) H01L 29/66234(2013.01) H01L 29/66234(2013.01)
출원번호/일자 1019880006397 (1988.05.31)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0113324-0000 (1997.03.21)
공개번호/일자 10-1989-0017813 (1989.12.18) 문서열기
공고번호/일자 1019960012580 (19960923) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.05.12)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영한 대한민국 경북영주시가

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남사준 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, 혜천빌딩 ****호 탑국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지반도체주식회사 대한민국 충청북도청주시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1988.05.31 수리 (Accepted) 1-1-1988-0037332-73
2 특허출원서
Patent Application		 1988.05.31 수리 (Accepted) 1-1-1988-0037331-27
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1990.11.02 수리 (Accepted) 1-1-1988-0037333-18
4 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.05.12 수리 (Accepted) 1-1-1988-0037334-64
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0021068-98
6 등록사정서
Decision to grant		 1996.10.04 발송처리중 (Ready to be dispatched) 1-5-1988-0021069-33
7 등록사정서
Decision to grant		 1996.12.20 발송처리중 (Ready to be dispatched) 1-5-1988-0021070-80
8 등록사정서
Decision to grant		 1996.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0021071-25
9 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1988-0037335-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

제1도 가와 같이 n＋ 매입층을 확산하여 그 위에 농도가 낮은 에피텍셜층(2)을 성장시키고 베이스층을 확산하여 베이스층에 에미터를 확산하는 표준 바이플러 IC 제조방법에 있어서, 베이스층(3)과 에피텍셜층(2)에 걸쳐서 2차 에피텍셜층(5)을 형성한 후 2차 에피텍셜층(5)을 제거하여 잔여 베이스층(3)에 에미터(4)를 확산하여 된 트랜지스터 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.