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마이크로파 특성이 우수한 단결정 기판과; 상기 단결정 기판의 양측단에 형성된 전극선로 제작용 전극판과; 상기 단결정기판 상부에 형성되고 상기 전극선로 제작용 전극판의 일측단에 연결된 신호전송용 입력단과; 상기 단결정 기판 상부에 형성되고 상기 전극선로 제작용 전극판의 타측단에 연결되며 상기 신호 전송용 입력단의 타측에 형성된 신호 전송용 출력단과; 상기 입력단과 출력단의 일단을 연결하기 위해 임의의 모양으로 형성된 마이크로스트립 정합망과; 상기 마이크로스트립 정합망 사이에 극수를 결정하는 마이크로스트립이 평행결합선 방식으로 형성된 필터 패턴과; 및 상기 단결정 기판 하부에 형성된 접지판을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터
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제1항에 있어서, 상기 단결정 기판은 MgO, LaA1O3 또는 사파이어중 어느 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터
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제1항에 있어서, 상기 신호전송용 입력단은 Ag를 첨가한 YBCO 고온초전도체인 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터
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제3항에 있어서, 상기 신호전송용 입력단은 상기 고온초전도체의 에피택셜 박막이 마이크로스트립선으로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 신호전송용 입력단은 상기 단결정 기판을 MgO로 사용할 때 그 선폭이 0
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제1항에 있어서, 상기 신호전송용 출력단은 Ag를 첨가한 YBCO 고온초전도체인 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터
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제6항에 있어서, 상기 신호전송용 출력단은 상기 고온초전도체의 에피택셜 박막이 마이크로스트립선으로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 신호전송용 출력단은 상기 단결정 기판을 MgO로 사용할 때 그 선폭이 0
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제1항에 있어서, 상기 마이크로스트립 정합망은 상기 신호전송용 입력단의 일측단에 ㄱ 자형으로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터
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제1항에 있어서, 상기 마이크로스트립 정합망은 상기 신호전송용 출력단의 일측단에 ㄱ자형으로형성된 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터
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제1항에 있어서, 극수는 상기 마이크로스트립 필터 패턴의개수에 상응하게 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터
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제1항에 있어서, 상기 필터 패턴은 대역통과 필터의 중심주파수가 11GHz인 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터
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제1항에 있어서,상기 접지판은 상기 단결정 기판의 하부에 이중 박막인 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터
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제13항에 있어서, 상기 이중 박막은 Ti/Ag인것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터
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제1항에 있어서, 상기 접지판은 금(Au)인 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터
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표면처리한 단결정 기판을 준비하는 제1공정과; 상기 단결정 기판위에 Ag을 첨가한 YBCO 고온초전도체의 에피팩셜 박막을 형성하는 증착하는 제2공정과; 상기 에피택셜 박막의 금 전극을 만들기 위해 상기 고온초전도체위에 시료를 증착하는 제3공정과; 상기 에피택셜 박막의 상부를 세정한 후 감광막을 형성하는 제4공정과; 상기 감광막을 패터닝하여 감광막 패턴을 형성하는 제5공정과; 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 에피텍셜 박막의 노출된 부분을 제거하여 유전막 패턴을 형성하고 상기 감광막 패턴을 유지하면서 금전극을 제조하고, 50오옴의 전극을 완벽히 만들고, 그 외 부분들을 제거하는 제6공정과; 상기 유전막 패턴을 일전 부분만 식각한 후 잔류 초전도 박막을 제거하는 제7공정과; 및 상기 감광막 패턴 제거후 상기 단결정 기판의 하부 표면의 전자선 증발기를 사용하여 이중박막으로 이루어진 접지판을 형성하는 제8공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 제1공정은 습식식각 또는 ECR 이온밀링중 어느 하나를 이용하여 표면처리하는 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 제2공정은 상기 YBCO를 증착 챔버내의 압력을 200mTorr정도 가하는 단계와; 상기 단결정 기판의 온도를 750℃ 정도로 하여 엑시머 레이저로 증착하는 단계와; 및 상기 챔버의 진공상태를 깨지 않고 550℃ 정도에서 이온을 주입하여 소정시간정도 열처리하는 단계로 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 애역통과필터 제조방법
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제18항에 있어서, 상기 이온은 산소를 주입하는 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 제3공정은 시료를 Ti과 Au로 사용한 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 제3공정은 전자빔을 이용하여 증착시키는 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 제4공정은 시료를 포토레지스터(AZ5214)를 도포하여 표면을 세정하는 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 제4공정은 5200rpm 에서 30초 동안 회전시켜 감광막을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 제5공정은 회로 원판을 사용하여 감광막을 노광한 후 현상하여 감광막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 제7공정은 상기 초전도 박막을 ECR이온 밀링에 의해 제거하는것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 소자를 50오옴 전송선로 제작 및 커넥터와 고온초전도체 상이의 완전접합을 위한 금도금 하는 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터 제조방법
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제16항에 있어서, 전극간 접착력이 높도록 상기 금 증착시 열처리를 행하지 않고 Ti을 이용하여 Au를 증착한 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 대역통과 필터 제조방법
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