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몰리브덴이 치환된 바나듐산화물 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015098682
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야리튬 2차전지2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 리튬 2차전지의 양극물질로 사용되는 바나듐계 산화물의 용량을 증가시키고 수명을 연장시키기 위해 몰리브덴을 치환시킨 바나듐산화물 및 그 제조 방법 3. 발명의 해결방법의 요지아르곤 분위기의 건조상자 안에서 MoO3, V2O3 와 V2O5 를 정량적으로 섞은 다음 이를 실리카 튜브에 넣고 진공 봉입한 후 650℃의 온도에서 96~120시간 열처리함4. 발명의 중요한 용도리튬 2차전지의 양전극 물질
Int. CL H01M 4/04 (2010.01) H01M 4/48 (2010.01) C01G 31/02 (2010.01)
CPC
출원번호/일자 1019960069281 (1996.12.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0233236-0000 (1999.09.10)
공개번호/일자 10-1998-0050458 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (19991201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.20)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장순호 대한민국 대전광역시 유성구
2 장기호 대한민국 대전광역시 유성구
3 강성구 대한민국 대전광역시 유성구
4 류광선 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229591-50
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229592-06
3 특허출원서
Patent Application		 1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229590-15
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229593-41
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0105803-21
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.05.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5186616-14
7 의견서
Written Opinion		 1999.05.18 수리 (Accepted) 1-1-1999-5186615-68
8 등록사정서
Decision to grant		 1999.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0203982-51
9 FD제출서
FD Submission		 1999.09.10 수리 (Accepted) 2-1-1999-5153336-41
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

리튬 2차 전지의 양극 물질로 사용되는 바나듐 산화물의 제조방법에 있어서,

건조 상자 안에서 MoO3와 바나듐 산화물을, 최종적으로 생성되는 몰리브덴이 치환된 바나듐 산화물의 조성 MoyV2-yO5 (0<y<0

2 2

제1항에 있어서,

상기 제1단계의 바나듐 산화물은 V2O3 및 V2O5 인 것을 특징으로 하는 몰리브덴이 치환된 바나듐산화물 제조 방법

3 3

리튬 2차 전지의 양극 물질로 사용되는 바나듐 산화물에 있어서,

건조상자 안에서 MoO3와 V2O3 및 V2O5를 최종적으로 생성되는 몰리브덴이 치환된 바나듐 산화물의 조성 MoyV2-yO5 (0<y<0

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP10218621 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP10218621 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH10218621 JP 일본 DOCDBFAMILY
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