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마이크로파소자용자성체세라믹조성물,이를이용한마이크로파소자용자성체세라믹및그의제조방법

  • 기술번호 : KST2015098695
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로파 소자용 자성체 세라믹 조성물, 이를 이용한 마이크로파 소자용 자성체 세라믹 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 산화이트륨, 산화철, 산화알루미늄을 주성분으로 하고 여기에 산화붕소, 산화비스무스, 산화아연, 산화구리, 산화아연과 산화붕소의 화합물 그리고 산화구리와 산화붕소의 화합물 중에서 한가지를 선택하여 부성분으로 첨가하며, 하기 화학식 1으로 표시함으로써, 상온에서 100~1,800 G의 포화자화와 0.2 %/℃ 이내의 포화자화 온도계수 및 60 0e 이하의 페리자성공명반치폭을 갖는 적당한 포화자화와 평탄한 온도안정성 및 손실특성이 우수한 마이크로파 소자용 자성체 세라믹을 얻을 수 있고, 소결조제의 첨가로인해 적정소결온도를 낮추어줄 수 있으므로 본 발명의 자성체 세라믹을 마이크로파대 아이솔레이터, 서큘레이터 및 S/N 인핸서 등의 마이크로파 대역용 부품에 효과적으로 사용될 수 있고, 고가의 산화이트륨과 산화철에 저가의 산화알루미늄, 산화붕소, 산화비스무스, 산화아연, 산화구리, 산화아연과 산화붕소의 화합물, 산화구리와 산화붕소의 화합물을 원료로 사용하므로, 경제적으로 고품위의 마이크로파 소자용 자성체 세라믹을 제공할 수 있는 효과를 갖는다.(화학식 1 : Y3Fe5-xAlxO12 (여기서, 0≤x≤1.5, 0<B2O3≤5(wt%), 0<Bi2O3≤5(wt%), 0<ZnO≤5(wt%), 0<CuO≤5(wt%), 0<ZnB2O4≤5(wt%), 0<CuB2O4≤5(wt%)이다).
Int. CL H01F 1/34 (2006.01)
CPC C04B 35/10(2013.01)C04B 35/10(2013.01)C04B 35/10(2013.01)C04B 35/10(2013.01)
출원번호/일자 1019970069528 (1997.12.17)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0279732-0000 (2000.11.03)
공개번호/일자 10-1999-0050409 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20010201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.17)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정래 대한민국 대전광역시 유성구
2 김태홍 대한민국 대전광역시 유성구
3 한진우 대한민국 대전광역시 유성구
4 이상석 대한민국 대전광역시 유성구
5 최태구 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217651-11
2 특허출원서
Patent Application		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217650-65
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217652-56
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0068870-05
7 의견서
Written Opinion		 2000.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2000-5147915-39
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.05.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5147917-20
9 등록사정서
Decision to grant		 2000.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0212917-42
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

산화이트륨, 산화철, 산화알루미늄을 주성분으로 하고 여기에 산화붕소, 산화비스무스, 산화아연, 산화구리, 산화아연과 산화붕소의 화합물 그리고 산화구리와 산화붕소의 화합물 중에서 한가지를 선택하여 부성분으로 첨가하며,하며, 하기 화학식 1으로 표시하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 소자용 자성체 세라믹 조성물:

(화학식 1)

Y3Fe5-xAlxO12

이때, 0≤x≤1

2 2

하기 화학식 1에 따라, 산화이트륨, 산화철, 산화알루미늄을 혼합하여 하소한 후, 산화붕소, 산화비스무스, 산화아연, 산화구리, 산화아연과 산화붕소의 화합물, 산화구리와 산화붕소의 화합물 중에서 한가지를 선택하여 부성분으로 첨가하고 성형 및 소결하여 제조된 것을 특징으로 하는 마이크로파 소자용 자성체 세라믹:

(화학식 1)

Y3Fe5-xAlxO12

이때, 0≤x≤1

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 자성체 세라믹은

상기한 자성체 세라믹은, 상온에서 100∼1,800 G의 포화자화와 0

4 4

하기 화학식 1에 따라, 산화이트륨,산화철,산화알루미늄을 혼합하는 단계와;

상기 혼합물을 건조시킨 후 1,100∼1,200℃에서 1∼3시간 동안 하소를 수행하는 단계와;

상기 하소수행 단계에서 하소를 거친 분말에 산화붕소, 산화비스무스, 산화아연, 산화구리, 산화아연과 산화붕소의 화합물, 산화구리와 산화붕소의 화합물을 부성분으로 각각 하나씩 선택적으로 첨가하고 결합제를 가해 혼합하여 소정 형상으로 성형하는 단계와;

상기 소정 형상의 성형 단계에서 얻어진 성형품을 공기분위기 하에서 1,200∼1,400℃에서 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 소자용 자성체 세라믹의 제조방법:

(화학식 1)

Y3Fe5-xAlxO12

이때, 0≤x≤1

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.