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입력광을 수신하고, 이 입력광의 광세기를 변조하여 출력광을 발생하는 광 세기 변조기에 있어서, 상기 입력광을 수신하며, 그 입력광의 TE 모드와 TM 모드간의 상대적인 진폭비와 상기 두 모드간의 상대적인 위상차를 조절함으로써 상기 두 모드들의 편광을 선택적으로 변화시키는 TE-TM 모드 변환기와, 상기 TE-TM 모드 변환기의 출력광을 받아 이 출력광의 TE 모드와 TM 모드들의 편광을 선택적으로 통과시키는 TE/TM 모드 선택기가 직렬로 배열된 것을 특징으로 하는 광 세기 변조기
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 TE-TM 모드 변환기와 상기 TE/TM 모드 선택기는 반도체 기판과, 상기 반도체 기판위에 형성된 제1클래딩층과, 상기 제1클래딩층위에 형성되고, 상기 제1클래딩층보다 굴절률이 더 큰 비선형 고분자 도파층과, 상기 제1클래딩층의 굴절률과 동일한 굴절률을 가지며, 상기 비선형 고분자 도파층위에 형성된 제2클래딩층과, 상기 제1클래딩층과 상기 기판 사이 및 상기 제2클래딩층 위에 형성된 폴링용 전극으로 구성되며, 상기 TE/TM 모드 선택기는 상기 비선형 고분자 도파층이 수직 방향의 전장을 갖도록 상기 폴링용 전극이 일 직선상에 형성되고, 상기 TE-TM 모드 변환기는 상기 비선형 고분자 도파층이 상기 45°의 각도로 전장을 갖도록 상기 폴링용 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 광 세기 변조기
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