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도핑된 기판을 준비하는 단계;상기 도핑된 기판의 일면상에 부도체층을 성장시키는 단계;상기 부도체층의 상면에 광검출기 어레이 제조층을 성장시키는 단계;상기 광검출기 어레이 제조층을 식각하여 광검출기 어레이를 제조하되, 상기 부도체층의 일부에까지 식각하는 단계;상기 도핑된 기판의 타면에 식각 마스크를 형성하는 단계; 및상기 식각 마스크를 통해 상기 도핑된 기판의 타면을 식각하여 상기 도핑된 기판의 타면에 혼 안테나 역할을 하는 어퍼쳐 어레이를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이형 광검출기를 제조하는 방법
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청구항 1에 있어서,상기 식각 마스크를 형성하는 단계는상기 광검출기 어레이의 위치에 대응되는 상기 도핑된 기판의 타면을 식각할 수 있게 하는 패턴을 갖는 식각 마스크를 형성하는 것을 특징으로 하는 어레이형 광검출기를 제조하는 방법
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청구항 1에 있어서,상기 어퍼쳐 어레이를 형성하는 단계는습식 식각으로 상기 도핑된 기판의 타면을 식각하는 것을 특징으로 하는 어레이형 광검출기를 제조하는 방법
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청구항 1에 있어서,상기 어퍼쳐 어레이를 형성하는 단계 이후에 상기 식각 마스크를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이형 광검출기를 제조하는 방법
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청구항 1에 있어서,상기 식각 마스크를 형성하는 단계는상기 도핑된 기판의 타면에 SiO2 또는 Si3N4를 이용하여 식각 마스크층을 형성하고, 포토리소그래피(PHOTOLITHOGRAPHY) 방법을 기반으로 상기 식각 마스크층에 상기 식각 마스크를 형성하는 것을 특징으로 하는 어레이형 광검출기를 제조하는 방법
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청구항 1에 있어서,상기 광검출기 어레이는 상기 혼 안테나 역할을 하는 어퍼쳐 어레이와 결합하여 전자파를 검출하는 것을 특징으로 하는 어레이형 광검출기를 제조하는 방법
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청구항 3에 있어서,상기 어퍼쳐 어레이를 형성하는 단계는상기 부도체층을 에치 스탑(ETCH STOP)층에 상응하게 이용하여 상기 도핑된 기판까지만 식각하는 것을 특징으로 하는 어레이형 광검출기를 제조하는 방법
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청구항 7에 있어서,상기 어퍼쳐 어레이의 모양은 식각 조건에 상응하게 결정되는 것을 특징으로 하는 어레이형 광검출기를 제조하는 방법
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청구항 1에 있어서,상기 도핑된 기판의 도핑농도는 1E17cm-3 내지 1E18cm-3에 상응하는 것을 특징으로 하는 어레이형 광검출기를 제조하는 방법
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청구항 1에 있어서,상기 도핑된 기판을 준비하는 단계는도핑될 기판이 실리콘(Si) 기판일 경우에는 붕소, 인, 안티모니 중 어느 하나를 이용하여 도핑되고, 도핑될 기판이 갈륨 아세나이드(GaAs) 기판일 경우에는 실리콘, 텔루륨, 아연 중 어느 하나를 이용하여 도핑되는 것을 특징으로 하는 어레이형 광검출기를 제조하는 방법
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