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반도체 레이저

  • 기술번호 : KST2015098756
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 높은 편광 및 이득 특성을 갖는 레이저를 발진하기 위하여 2중축(biaxial)상에서 압축 변형(compressively strained)된 초박막(ultrathin)의 (In,Ga)As 중앙층(center layer)을 갖는 GaAs 양자 우물 활성 층으로 구성되는 GaAs/(Al,Ga)As 레이저 구조에 관한 것이다. 단일 또는 복수의 GaAs 양자 우물 활성층(active layer)은 상위 및 하위의 (Al,Ga)As 버퍼층(buffer layer) 사이에 놓이며, 각각의 GaAs 양자 우물 중앙에 위치하는 (In,Ga)As 중앙층은 GaAs 층과의 격자 부정합(lattice mismatch)으로 인하여 압축 변형되게 한다. 본 발명이 제시하는 압축 변형된 (In,Ga)As 중앙층을 갖는 GaAs 우물 구조내에 속박된 경양공과 중양공의 기저 부띠 에너지의 차이는 단일 양자 우물 구조의 그것보다 매우 크므로, 이 활성층 구조를 갖는 레이저는 높은 이득 특성을 갖는 횡전기파(TE) 모드로 발진된다. 본 발명이 제시하는 압축 변형된 중앙벽층을 이용하는 방법은 GaAs/(Al,Ga)As 레이저 뿐만 아니라, InGaAs/InGaAsP/InP 등 다른 레이저에도 적용할 수 있다.
Int. CL H01S 3/0941 (2006.01) H01S 5/00 (2006.01)
CPC H01S 5/2228(2013.01) H01S 5/2228(2013.01) H01S 5/2228(2013.01) H01S 5/2228(2013.01)
출원번호/일자 1019970003864 (1997.02.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0240641-0000 (1999.10.28)
공개번호/일자 10-1998-0067654 (1998.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.02.10)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규석 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.02.10 수리 (Accepted) 1-1-1997-0012652-59
2 특허출원서
Patent Application		 1997.02.10 수리 (Accepted) 1-1-1997-0012650-68
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.02.10 수리 (Accepted) 1-1-1997-0012651-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0219942-54
5 의견서
Written Opinion		 1999.08.18 수리 (Accepted) 1-1-1999-5296593-43
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.08.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5296594-99
7 등록사정서
Decision to grant		 1999.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0295396-95
8 FD제출서
FD Submission		 1999.10.28 수리 (Accepted) 2-1-1999-5182220-23
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

제공된 GaAs 기판과,

상기 GaAs 기판 상부에 형성된 p+ GaAs 도우핑층과,

상기 p+ GaAs 도우핑층 상부에 AlyGa1-yAs (y＜1) 로 구성된 제 1 버퍼층과,

상기 제 1 버퍼층 상부에 압축 변형된 초박막의 InxGa1-xAs (x＜1) 중앙층을 갖는 2중 GaAs 양자 우물층으로 구성된 활성층과,

상기 활성층 상부에 AlyGa1-yAs 로 구성된 제 2 버퍼층과,

상기 제 2 버퍼층 상부에 형성된 n+ GaAs 도우핑층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 GaAs 양자우물층은 5 내지 20 nm 두께로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 초박막의 InxGa1-xAs (x＜1) 중앙층은 0

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 초박막의 InxGa1-xAs (x＜1) 중앙층에 의해 상기 GaAs 양자 우물층의 중양공 및 경양공의 부띠 에너지를 조정하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저

5 5

제공된 GaAs 기판과,

상기 GaAs 기판 상부에 형성된 p+ GaAs 도우핑층과,

상기 p+ GaAs 도우핑층 상부에 AlyGa1-yAs (y＜1) 로 구성된 제 1 버퍼층과,

상기 제 1 버퍼층 상부에 압축변형된 초박막의 InxGa1-xAs (x＜1) 중앙층을 갖는 2중 GaAs 양자 우물층으로 구성된 제 1 활성층과,

상기 제 1 활성층 상부에 AlzGa1-zAs(z＜y)로 구성된 벽층과,

상기 벽층 상부에 압축변형된 초박막의 InxGa1-xAs 중앙층을 갖는 2중 GaAs 양자우물층으로 구성된 제 2 활성층과,

상기 제 2 활성층 상부에 AlyGa1-yAs 로 구성된 제 2 버퍼층과,

상기 제 2 버퍼층 상부에 형성된 n+ GaAs 도우핑층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저

6 6

제 5 항에 있어서, 상기 제 1 활성층 또는 제 2 활성층은 AlzGa1-zAs(z＜y)로 구성된 벽층에 의해 분리되어 다수로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.