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광검출기가집적된반도체광스위치제조방법

  • 기술번호 : KST2015098789
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 pin형 광검출기가 단일칩 집적된 전류주입에 의한 내부 전반사형 반도체 광스위치를 제조하는 방법에 관한 것으로, n형 InP기판(1)위에 도핑되지 않은 InGaAsP 광도파로층(2)과 도핑되지 않은 InP 클래드층(2)을 순차적으로 1차 성장시킨후, 광검출기가 위치하게 될 영역의 InP 클래드층(2)을 식각해내고 제2차로 도핑되지 않은 InGaAs층(4)을 재성장한다.그리고 아연을 확산시켜 광스위치 및 광검출기에 Pn 접합을 형성하고 InGaAs캡층(4) 및 InP 클래드층(3)을 마루형태로 식각하여 광도파로 구조를 만든 후 p형 및 n형 전극을 증착하는 것이 특징이다.
Int. CL H01L 29/8605 (2006.01) H01L 29/86 (2006.01)
CPC H01L 29/86(2013.01) H01L 29/86(2013.01) H01L 29/86(2013.01) H01L 29/86(2013.01) H01L 29/86(2013.01) H01L 29/86(2013.01)
출원번호/일자 1019930018146 (1993.09.09)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0116437-0000 (1997.06.16)
공개번호/일자 10-1995-0010144 (1995.04.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970004489 (19970328) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.09.09)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박기성 대한민국 대전직할시유성구
2 오광룡 대한민국 대전직할시유성구
3 박종대 대한민국 대전직할시서구
4 김홍만 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095182-21
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095183-77
3 특허출원서
Patent Application		 1993.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095181-86
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095184-12
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095185-68
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0038901-76
7 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095186-14
8 등록사정서
Decision to grant		 1997.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0038902-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 광스위치를 제조하는 방법에 있어서, 제1형의 InP 기판(1)위에 에피택시법으로 도핑되지 않은 InGaAsP 광도파로층(2)과 도핑되지 않은 InP 클래드층(3)을 순차로 성장시키는 단계와, 광검출기가 형성될 영역의 상기 클래드층(3)을 식각하는 단계와, 상기 에피택시법으로 도핑되지 않은 InGaAs 캡층(4)을 성장시킨후 상기 캡층(4)의 소정 부분에 불순물을 확산시켜 제2형의 확산영역을 형성하는 단계와, 광스위치 및 광검출기에 pn 접합을 형성하고 상기 캡층(4) 및 상기 클래드층(3)을 마루형태로 식각하여 광도파로를 형성한 후 제1형의 전극(5) 및 제2형의 전극(13)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출기가 집적된 반도체 광스위치 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 광검출기가 형성될 영역의 상기 클래드층(3)의 식각이 완료된 후 곧바로 상기 영역의 상기 광도파로층(2)을 식각하는 단계를 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출기가 집적된 반도체 광스위치 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.