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기판 상에 배치된 후면 전극;상기 후면 전극 상에 배치된 정공 주입층;상기 정공 주입층 상에 배치된 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 배치된 전면 투명전극을 포함하되,상기 정공 주입층은 하나 이상의 금속 원소들을 포함하는 금속 산화물로 이루어진 화합물 반도체 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 정공 주입층의 가전자대와 상기 광 흡수층의 p형 반도체의 가전자대 사이의 차이가 상기 정공 주입층의 전도대와 상기 광 흡수층의 p형 반도체의 가전자대 사이의 차이보다 큰 화합물 반도체 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 정공 주입층은 니켈(Ni) 산화물, 바나듐(V) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 및 루테늄(Ru) 산화물 중 어느 하나 이상의 금속 산화물들을 포함하는 화합물 반도체 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 상기 정공 주입층은 니켈(Ni) 산화막, 바나듐(V) 산화막, 텅스텐(W) 산화막, 및 루테늄(Ru) 산화막 중 적어도 두개 이상의 막들이 적층되어 있는 화합물 반도체 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 정공 주입층은 0
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제 1 항에 있어서,상기 광 흡수층은 I-Ⅲ-VI2족 화합물 반도체로 이루어진 화합물 반도체 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 광 흡수층과 상기 전면 투명전극 사이에 개재된 버퍼층을 더 포함하는 화합물 반도체 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 전면 투명전극 상에 배치된 반사 방지막;상기 반사 방지막의 일 측면에 배치되며 상기 전면 투명전극과 접촉하는 그리드 전극을 더 포함하는 화합물 반도체 태양전지
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