맞춤기술찾기

이전대상기술

발광소자 및 그 제조 방법 및 다층구조의 유기발광소자보호막

  • 기술번호 : KST2015098848
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광소자 및 그 제조방법, 다층구조의 유기발광소자 보호막에 관한 것이다. 본 발광소자는 기판상에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 적어도 하나의 층으로 이루어진 발광활성층; 상기 발광 활성층 상에 형성되는 제2 전극; 상기 제1 및 제2 전극 및 상기 활성층을 보호하기 위해 상기 제2 전극 상부에 형성되는 다층 구조의 보호막을 포함한다. 이에 따라, 발광활성층 상에 형성되는 보호막을 다층구조로 형성하며, 특히, 유기물질, 무기물질로 이루어진 박막을 사용하므로 낮은 투산소율과 투습율을 용이하게 확보할 수 있다.완충층, 보호층, 발광소자, 투산소율, 투습율
Int. CL H05B 33/22 (2006.01)
CPC H01L 51/5237(2013.01) H01L 51/5237(2013.01) H01L 51/5237(2013.01) H01L 51/5237(2013.01) H01L 51/5237(2013.01)
출원번호/일자 1020060019774 (2006.03.02)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0755478-0000 (2007.08.29)
공개번호/일자 10-2007-0060973 (2007.06.13) 문서열기
공고번호/일자 (20070905) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050120278   |   2005.12.09
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.03.02)
심사청구항수 16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정승묵 대한민국 경기 수원시 영통구
2 이정익 대한민국 경기 수원시 권선구
3 황치선 대한민국 대전 대덕구
4 추혜용 대한민국 대전 유성구
5 양용석 대한민국 대전 유성구
6 박상희 대한민국 대전 유성구
7 도이미 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 (주)에코테크놀로지 경기도 오산시 북
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0150465-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.02.09 수리 (Accepted) 9-1-2007-0009235-75
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0154761-29
5 의견서
Written Opinion
2007.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0379004-15
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.05.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0379016-52
7 등록결정서
Decision to grant
2007.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0459379-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 형성되는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성되는 적어도 하나의 층으로 이루어진 발광활성층;상기 발광 활성층 상에 형성되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극, 상기 발광 활성층, 및 상기 제2 전극을 보호하기 위해 상기 제2 전극 상에 형성되며 유기물질로 이루어진 제1 완충층, 상기 제1 완충층 상에 형성되며 무기물질로 이루어진 제2 완충층, 및 상기 제2 완충층 상에 형성되며 무기물질로 이루어진 보호층을 포함하는 다층 구조의 보호막을 포함하는 발광소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 완충층은 NPB와 Alq3 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 제2 완충층은 LiF, CaF, CsF 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 완충층 및 상기 제2 완충층은 열증착법으로 증착되는 발광소자
6 6
제1항에 있어서,상기 보호층을 이루는 무기물질은 투명성을 갖는 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 및 ITZO(indium tin zinc oxide) 중 하나를 이용하는 발광소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 다층 구조의 보호막은 상기 제1 완충층, 상기 제2 완충층 및 상기 보호층을 복수 회 반복 증착하여 형성가능한 발광소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 발광활성층은 상기 제1 전극 상부에 형성되는 정공 수송층, 상기 정공수송층 상에 형성되는 발광층 및 상기 발광층 상에 형성되는 전자 수송층을 포함하는 발광소자
9 9
제8항에 있어서, 상기 발광활성층은상기 제1 전극과 상기 정공 수송층 사이에 형성되는 정공 주입층과, 상기 전자 수송층과 상기 제2 전극 사이에 형성되는 전자 주입층을 더 포함하는 발광소자
10 10
기판상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 발광층을 포함하는 발광활성층을 형성하는 단계;상기 발광활성층 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 제2 전극 상에 형성되어 상기 제1 전극, 상기 발광 활성층 및 상기 제2 전극을 보호하는 다층 구조의 보호막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 다층 구조의 보호막을 형성하는 단계는상기 제2 전극 상에 유기물질로 이루어진 제1 완충층을 형성하는 단계, 상기 제1 완충층 상에 무기물질로 이루어진 제2 완충층을 형성하는 단계, 및 상기 제2 완충층 상에 무기물질로 이루어진 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
11 11
삭제
12 12
제10항에 있어서, 상기 제1 완충층 및 제2 완충층을 형성하는 단계는 진공 열증착법을 이용하여 형성하는 발광소자의 제조방법
13 13
제10항에 있어서, 상기 보호층을 형성하는 단계는 플라즈마 증착법을 이용하여 형성하는 발광소자의 제조방법
14 14
제10항에 있어서,상기 발광활성층을 형성하는 단계는상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 정공주입층과 정공수송층을 형성하는 단계,상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 전자수송층과 전자주입층을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
15 15
제10항에 있어서, 상기 다층 구조의 보호막을 형성한 후, 상기 보호막 상에 인캡슐레이션 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법
16 16
기판 상에 형성되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성되는 발광활성층, 상기 발광활성층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하는 유기발광소자의 상부에 증착되어 상기 제1 전극, 상기 발광활성층 및 상기 제2 전극을 보호하며, 유기계의 제1 완충층과, 상기 제1 완충층상에 형성되는 무기계의 제2 완충층과, 상기 제2 완충층 상에 형성되는 무기계의 보호층을 포함하는 다층구조의 유기발광소자 보호막
17 17
제16항에 있어서,상기 제1 완충층과 상기 제2 완충층은 열증착법을 이용하여 형성되는 다층구조의 유기발광소자 보호막
18 18
제16항에 있어서, 상기 보호층은 플라즈마 증착법을 이용하여 형성되는 다층 구조의 유기발광소자 보호막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.